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• Infineon HEXFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET IRF7342PBF, 3.4 A, Vds=55 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大连续漏极电流 3.4 A,
• 制造商零件编号：
  IRF7342PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-1764
  
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• Infineon P沟道 MOSFET 晶体管 IRF7342D2PBF, 3.4 A, Vds=55 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大连续漏极电流 3.4 A,
• 制造商零件编号：
  IRF7342D2PBF
  品牌：
  International Rectifier
  库存编号：
  543-1954
  
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• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI3454ADV-T1-E3, 3.4 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
  
  规格：最大连续漏极电流 3.4 A,
• 制造商零件编号：
  SI3454ADV-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-4695
  
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• DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP2100U-7, 3.4 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大连续漏极电流 3.4 A,
• 制造商零件编号：
  DMP2100U-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  822-2627
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 P沟道 Si MOSFET FQPF5P20, 3.4 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：最大连续漏极电流 3.4 A,
• 制造商零件编号：
  FQPF5P20
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  862-8772
  
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• Infineon HEXFET 系列 P沟道 MOSFET 晶体管 IRF5803PBF, 3.4 A, Vds=40 V, 6引脚 TSOP封装
  
  规格：最大连续漏极电流 3.4 A,
• 制造商零件编号：
  IRF5803PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-3735
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDT458P, 3.4 A, Vds=30 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：最大连续漏极电流 3.4 A,
• 制造商零件编号：
  FDT458P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0788
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET IRF7342TRPBF, 3.4 A, Vds=55 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大连续漏极电流 3.4 A,
• 制造商零件编号：
  IRF7342TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8901
  
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• ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 NDD04N50Z-1G, 3.4 A, Vds=500 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 3.4 A,
• 制造商零件编号：
  NDD04N50Z-1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  719-2799
  
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• NXP 双 Si N沟道 MOSFET PHN210T,118, 3.4 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大连续漏极电流 3.4 A,
• 制造商零件编号：
  PHN210T,118
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  725-8376
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLML6346TRPBF, 3.4 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大连续漏极电流 3.4 A,
• 制造商零件编号：
  IRLML6346TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7234
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLML6346TRPBF, 3.4 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大连续漏极电流 3.4 A,
• 制造商零件编号：
  IRLML6346TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-4070
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET IRF7342PBF, 3.4 A, Vds=55 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大连续漏极电流 3.4 A,
• 制造商零件编号：
  IRF7342PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4930
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQU5N40TU, 3.4 A, Vds=400 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 3.4 A,
• 制造商零件编号：
  FQU5N40TU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5351
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS86106, 3.4 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大连续漏极电流 3.4 A,
• 制造商零件编号：
  FDS86106
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9686
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDS9400A, 3.4 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大连续漏极电流 3.4 A,
• 制造商零件编号：
  FDS9400A
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3686
  
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• MagnaChip N沟道 Si MOSFET MDD5N40RH, 3.4 A, Vds=400 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 3.4 A,
• 制造商零件编号：
  MDD5N40RH
  品牌：
  MagnaChip
  库存编号：
  871-6652
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSO613SPV G, 3.4 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大连续漏极电流 3.4 A,
• 制造商零件编号：
  BSO613SPV G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7273
  
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