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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD350N06L G, 29 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大连续漏极电流 29 A,
• 制造商零件编号：
  IPD350N06L G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7496
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH5302DTR2PBF, 29 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
  
  规格：最大连续漏极电流 29 A,
• 制造商零件编号：
  IRFH5302DTR2PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  725-9284
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRLH5034TR2PBF, 29 A, Vds=40 V, 8引脚 PQFN封装
  
  规格：最大连续漏极电流 29 A,
• 制造商零件编号：
  IRLH5034TR2PBF
  品牌：
  International Rectifier
  库存编号：
  725-9331
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC86102, 29 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 33封装
  
  规格：最大连续漏极电流 29 A,
• 制造商零件编号：
  FDMC86102
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-6314
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STB34NM60N, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：最大连续漏极电流 29 A,
• 制造商零件编号：
  STB34NM60N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9500
  
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• STMicroelectronics FDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STW34NM60ND, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大连续漏极电流 29 A,
• 制造商零件编号：
  STW34NM60ND
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9792
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP34NM60N, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大连续漏极电流 29 A,
• 制造商零件编号：
  STP34NM60N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0106
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STF34NM60N, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大连续漏极电流 29 A,
• 制造商零件编号：
  STF34NM60N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-2815
  
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• Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHP30N60E-GE3, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大连续漏极电流 29 A,
• 制造商零件编号：
  SiHP30N60E-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  768-9348
  
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• Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHG30N60E-GE3, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：最大连续漏极电流 29 A,
• 制造商零件编号：
  SiHG30N60E-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9421
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 N沟道 Si MOSFET HUF76419S3ST_F085, 29 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263AB封装
  
  规格：最大连续漏极电流 29 A,
• 制造商零件编号：
  HUF76419S3ST_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  862-9312
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD2572_F085, 29 A, Vds=150 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 29 A,
• 制造商零件编号：
  FDD2572_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8063
  
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• MagnaChip Si N沟道 MOSFET MDV1527URH, 29 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerDFN33封装
  
  规格：最大连续漏极电流 29 A,
• 制造商零件编号：
  MDV1527URH
  品牌：
  MagnaChip
  库存编号：
  871-5022
  
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• ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 NTMFS4899NFT1G, 29 A, Vds=30 V, 8引脚 SO-8FL封装
  
  规格：最大连续漏极电流 29 A,
• 制造商零件编号：
  NTMFS4899NFT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  719-2951
  
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• ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 NTMFS4899NFT3G, 29 A, Vds=30 V, 8引脚 SO-8FL封装
  
  规格：最大连续漏极电流 29 A,
• 制造商零件编号：
  NTMFS4899NFT3G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  719-2960
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFZ34N, 29 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大连续漏极电流 29 A,
• 制造商零件编号：
  AUIRFZ34N
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1875
  
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• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDD2572, 29 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  规格：最大连续漏极电流 29 A,
• 制造商零件编号：
  FDD2572
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9059
  
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• STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STW36NM60ND, 29 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大连续漏极电流 29 A,
• 制造商零件编号：
  STW36NM60ND
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  792-6104
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN030-60YS, 29 A, Vds=60 V, 4引脚 SOT-669封装
  
  规格：最大连续漏极电流 29 A,
• 制造商零件编号：
  PSMN030-60YS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-2873
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NVTFS5820NLTWG, 29 A, Vds=60 V, 8引脚 WDFN封装
  
  规格：最大连续漏极电流 29 A,
• 制造商零件编号：
  NVTFS5820NLTWG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  823-4201
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ34NPBF, 29 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大连续漏极电流 29 A,
• 制造商零件编号：
  IRFZ34NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  540-9761
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ34NSPBF, 29 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 29 A,
• 制造商零件编号：
  IRFZ34NSPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-0103
  
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• STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STP34NM60ND, 29 A, Vds=600 V, 4引脚 TO-220封装
  
  规格：最大连续漏极电流 29 A,
• 制造商零件编号：
  STP34NM60ND
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9685
  
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• Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHF30N60E-E3, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大连续漏极电流 29 A,
• 制造商零件编号：
  SIHF30N60E-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  768-9322
  
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• Vishay E Series 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 SIHG30N60E-E3, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：最大连续漏极电流 29 A,
• 制造商零件编号：
  SIHG30N60E-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  768-9338
  
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