规格:最大连续漏极电流 3 A,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NTF3055L108T1G, 3 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
规格:最大连续漏极电流 3 A,
制造商零件编号:
NTF3055L108T1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
463-307
搜索
ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NTF3055L108T1G, 3 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
规格:最大连续漏极电流 3 A,
制造商零件编号:
NTF3055L108T1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
100-8062
搜索
NXP Si P沟道 MOSFET BSP250, 3 A, Vds=30 V, 4引脚 SC-73封装
规格:最大连续漏极电流 3 A,
制造商零件编号:
BSP250
品牌:
Nexperia
库存编号:
103-8317
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STP3NK90Z, 3 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大连续漏极电流 3 A,
制造商零件编号:
STP3NK90Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
485-7636
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STD3NK90ZT4, 3 A, Vds=900 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大连续漏极电流 3 A,
制造商零件编号:
STD3NK90ZT4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5099
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STD4NK50ZT4, 3 A, Vds=500 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大连续漏极电流 3 A,
制造商零件编号:
STD4NK50ZT4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5153
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Semelab Si N沟道 MOSFET D5011UK, 3 A, Vds=125 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大连续漏极电流 3 A,
制造商零件编号:
D5011UK
品牌:
Semelab
库存编号:
738-7773
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDC3512, 3 A, Vds=80 V, 6引脚 SOT-23封装
规格:最大连续漏极电流 3 A,
制造商零件编号:
FDC3512
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9011
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDS2734, 3 A, Vds=250 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大连续漏极电流 3 A,
制造商零件编号:
FDS2734
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9197
查看其他仓库
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STP4NK50ZD, 3 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大连续漏极电流 3 A,
制造商零件编号:
STP4NK50ZD
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0134
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ON Semiconductor P沟道 MOSFET 晶体管 MCH3377-TL-E, 3 A, Vds=20 V, 3引脚 MCPH封装
规格:最大连续漏极电流 3 A,
制造商零件编号:
MCH3377-TL-E
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
774-0819
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Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SIHD3N50D-GE3, 3 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-252封装
规格:最大连续漏极电流 3 A,
制造商零件编号:
SIHD3N50D-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9143
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ON Semiconductor P沟道 MOSFET 晶体管 EMH2801-TL-H, 3 A, Vds=20 V, 8引脚 EMH封装
规格:最大连续漏极电流 3 A,
制造商零件编号:
EMH2801-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
791-9456
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET CPH3457-TL-H, 3 A, Vds=30 V, 3引脚 CPH封装
规格:最大连续漏极电流 3 A,
制造商零件编号:
CPH3457-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
792-5259
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Toshiba N沟道 Si MOSFET 2SK3564,S5Q(J, 3 A, Vds=900 V, 3引脚 SC-67封装
规格:最大连续漏极电流 3 A,
制造商零件编号:
2SK3564,S5Q(J
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-4810
搜索
ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET MCH3374-TL-E, 3 A, Vds=12 V, 3引脚 MCHP封装
规格:最大连续漏极电流 3 A,
制造商零件编号:
MCH3374-TL-E
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-0917
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET SCH1435-TL-H, 3 A, Vds=30 V, 6引脚 SCH封装
规格:最大连续漏极电流 3 A,
制造商零件编号:
SCH1435-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-1128
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDFS2P753Z, 3 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大连续漏极电流 3 A,
制造商零件编号:
FDFS2P753Z
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3365
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDC6401N, 3 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
规格:最大连续漏极电流 3 A,
制造商零件编号:
FDC6401N
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
809-0852
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Vishay P沟道 Si MOSFET SI5855CDC-T1-E3, 3 A, Vds=20 V, 8引脚 1206 ChipFET封装
规格:最大连续漏极电流 3 A,
制造商零件编号:
SI5855CDC-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1346
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ROHM Si P沟道 MOSFET RRQ030P03TR, 3 A, Vds=30 V, 6引脚 TSMT封装
规格:最大连续漏极电流 3 A,
制造商零件编号:
RRQ030P03TR
品牌:
ROHM
库存编号:
826-7740
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ROHM Si P沟道 MOSFET RRR030P03TL, 3 A, Vds=30 V, 3引脚 TSMT封装
规格:最大连续漏极电流 3 A,
制造商零件编号:
RRR030P03TL
品牌:
ROHM
库存编号:
826-7743
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ROHM P沟道 Si MOSFET RZF030P01TL, 3 A, Vds=12 V, 3引脚 TUMT封装
规格:最大连续漏极电流 3 A,
制造商零件编号:
RZF030P01TL
品牌:
ROHM
库存编号:
826-7829
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Texas Instruments FemtoFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17484F4T, 3 A, Vds=30 V, 3引脚 PICOSTAR封装
规格:最大连续漏极电流 3 A,
制造商零件编号:
CSD17484F4T
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
900-9936
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Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF7103PBF, 3 A, Vds=50 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大连续漏极电流 3 A,
制造商零件编号:
IRF7103PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4845
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