规格:最大连续漏极电流 5.4 A,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFI740GPBF, 5.4 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大连续漏极电流 5.4 A,
制造商零件编号:
IRFI740GPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9692
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFPE40PBF, 5.4 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-247AC封装
规格:最大连续漏极电流 5.4 A,
制造商零件编号:
IRFPE40PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9888
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7490PBF, 5.4 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大连续漏极电流 5.4 A,
制造商零件编号:
IRF7490PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-2159
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STD7NK40ZT4, 5.4 A, Vds=400 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大连续漏极电流 5.4 A,
制造商零件编号:
STD7NK40ZT4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5147
搜索
Nexperia Si N沟道 MOSFET PMN40LN,135, 5.4 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
规格:最大连续漏极电流 5.4 A,
制造商零件编号:
PMN40LN,135
品牌:
Nexperia
库存编号:
725-8411
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9335PBF, 5.4 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大连续漏极电流 5.4 A,
制造商零件编号:
IRF9335PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9252
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQB5N90TM, 5.4 A, Vds=900 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大连续漏极电流 5.4 A,
制造商零件编号:
FQB5N90TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
808-9001
查看其他仓库
Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK5A60W,S4VX(M, 5.4 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
规格:最大连续漏极电流 5.4 A,
制造商零件编号:
TK5A60W,S4VX(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6242
搜索
Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SQ9945BEY-T1_GE3, 5.4 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大连续漏极电流 5.4 A,
制造商零件编号:
SQ9945BEY-T1_GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9474
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STP7NK40ZFP, 5.4 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大连续漏极电流 5.4 A,
制造商零件编号:
STP7NK40ZFP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
810-7418
搜索
Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK5A60W,S4VX(M, 5.4 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
规格:最大连续漏极电流 5.4 A,
制造商零件编号:
TK5A60W,S4VX(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2404
查看其他仓库
DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXMN2B03E6TA, 5.4 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
规格:最大连续漏极电流 5.4 A,
制造商零件编号:
ZXMN2B03E6TA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
708-2618
搜索
Infineon HEXFET 系列 双 N沟道 Si MOSFET IRF7530TRPBF, 5.4 A, Vds=20 V, 8引脚 MSOP封装
规格:最大连续漏极电流 5.4 A,
制造商零件编号:
IRF7530TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
301-754
搜索
Fairchild Semiconductor P沟道 Si MOSFET FQD7P06TM, 5.4 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大连续漏极电流 5.4 A,
制造商零件编号:
FQD7P06TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-1030
搜索
Vishay 双 N/P沟道 MOSFET 晶体管 SI7501DN-T1-E3, 5.4 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
规格:最大连续漏极电流 5.4 A,
制造商零件编号:
SI7501DN-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
699-7345
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Nexperia Si N沟道 MOSFET PMN38EN,135, 5.4 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
规格:最大连续漏极电流 5.4 A,
制造商零件编号:
PMN38EN,135
品牌:
Nexperia
库存编号:
725-8417
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Toshiba N沟道 Si MOSFET TK5A60W,S4VX(M, 5.4 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
规格:最大连续漏极电流 5.4 A,
制造商零件编号:
TK5A60W,S4VX(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5160
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK5P60W,RVQ(S, 5.4 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大连续漏极电流 5.4 A,
制造商零件编号:
TK5P60W,RVQ(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2644
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Infineon HEXFET 系列 双 N沟道 Si MOSFET IRF7530TRPBF, 5.4 A, Vds=20 V, 8引脚 MSOP封装
规格:最大连续漏极电流 5.4 A,
制造商零件编号:
IRF7530TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4729
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STD7NK40ZT4, 5.4 A, Vds=400 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大连续漏极电流 5.4 A,
制造商零件编号:
STD7NK40ZT4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-6585
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