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• NXP Si P沟道 MOSFET PMV65XP, 3.9 A, Vds=20 V, 3引脚 TO-236AB封装
  
  规格：最大连续漏极电流 3.9 A,
• 制造商零件编号：
  PMV65XP
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  103-8142
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQB4N80TM, 3.9 A, Vds=800 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 3.9 A,
• 制造商零件编号：
  FQB4N80TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0908
  
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• DiodesZetex 双 Si P沟道 MOSFET ZXMP6A16DN8TA, 3.9 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大连续漏极电流 3.9 A,
• 制造商零件编号：
  ZXMP6A16DN8TA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  708-2475
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI7309DN-T1-E3, 3.9 A, Vds=60 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  规格：最大连续漏极电流 3.9 A,
• 制造商零件编号：
  SI7309DN-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3386
  
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• ON Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET NTHD4502NT1G, 3.9 A, Vds=30 V, 8引脚 ChipFET封装
  
  规格：最大连续漏极电流 3.9 A,
• 制造商零件编号：
  NTHD4502NT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-0598
  
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• ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 NTR4170NT1G, 3.9 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大连续漏极电流 3.9 A,
• 制造商零件编号：
  NTR4170NT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-4745
  
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• Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDS2672_F085, 3.9 A, Vds=200 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大连续漏极电流 3.9 A,
• 制造商零件编号：
  FDS2672_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8638
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP4N80, 3.9 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大连续漏极电流 3.9 A,
• 制造商零件编号：
  FQP4N80
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5121
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXMN3A14FTA, 3.9 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大连续漏极电流 3.9 A,
• 制造商零件编号：
  ZXMN3A14FTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  708-2579
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET 晶体管 SI8806DB-T2-E1, 3.9 A, Vds=12 V, 4引脚 微型支脚封装
  
  规格：最大连续漏极电流 3.9 A,
• 制造商零件编号：
  SI8806DB-T2-E1
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9272
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET Si1416EDH-T1-GE3, 3.9 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  规格：最大连续漏极电流 3.9 A,
• 制造商零件编号：
  Si1416EDH-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3063
  
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• Vishay N沟道 MOSFET SI2312BDS-T1-GE3, 3.9 A, Vds=20 V, 3引脚 TO-236封装
  
  规格：最大连续漏极电流 3.9 A,
• 制造商零件编号：
  SI2312BDS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3254
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF5N50NZU, 3.9 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：最大连续漏极电流 3.9 A,
• 制造商零件编号：
  FDPF5N50NZU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-4882
  
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• Taiwan Semiconductor Si N沟道 MOSFET TSM2318CX RFG, 3.9 A, Vds=40 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大连续漏极电流 3.9 A,
• 制造商零件编号：
  TSM2318CX RFG
  品牌：
  Taiwan Semiconductor
  库存编号：
  743-6065
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 P沟道 Si MOSFET FQPF9P25, 3.9 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：最大连续漏极电流 3.9 A,
• 制造商零件编号：
  FQPF9P25
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-5923
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCD4N60TM, 3.9 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大连续漏极电流 3.9 A,
• 制造商零件编号：
  FCD4N60TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  903-4128
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET Si1416EDH-T1-GE3, 3.9 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  规格：最大连续漏极电流 3.9 A,
• 制造商零件编号：
  SI1416EDH-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4264
  
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• NXP Si P沟道 MOSFET PMV65XP, 3.9 A, Vds=20 V, 3引脚 TO-236AB封装
  
  规格：最大连续漏极电流 3.9 A,
• 制造商零件编号：
  PMV65XP
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  134-295
  
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• Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPD80R1K4CE, 3.9 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大连续漏极电流 3.9 A,
• 制造商零件编号：
  IPD80R1K4CE
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7159
  
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• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDS2672, 3.9 A, Vds=200 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大连续漏极电流 3.9 A,
• 制造商零件编号：
  FDS2672
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0481
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQI4N80TU, 3.9 A, Vds=800 V, 3引脚 I2PAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 3.9 A,
• 制造商零件编号：
  FQI4N80TU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4994
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCP4N60, 3.9 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大连续漏极电流 3.9 A,
• 制造商零件编号：
  FCP4N60
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-8911
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SI3499DV-T1-GE3, 3.9 A, Vds=8 V, 6引脚 TSOP封装
  
  规格：最大连续漏极电流 3.9 A,
• 制造商零件编号：
  SI3499DV-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3173
  
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