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• DiodesZetex P沟道 Si MOSFET ZXM62P02E6TA, 2.3 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.3 A,
• 制造商零件编号：
  ZXM62P02E6TA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  155-248
  
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• DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZXMP6A13GTA, 2.3 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.3 A,
• 制造商零件编号：
  ZXMP6A13GTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  708-2490
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI2308BDS-T1-GE3, 2.3 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-236封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.3 A,
• 制造商零件编号：
  SI2308BDS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3257
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 P沟道 Si MOSFET FQD5P10TM, 2.3 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.3 A,
• 制造商零件编号：
  FQD5P10TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  808-9023
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 P沟道 Si MOSFET FQD5P20TM, 2.3 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.3 A,
• 制造商零件编号：
  FQD5P20TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  808-9026
  
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• Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI3993CDV-T1-GE3, 2.3 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.3 A,
• 制造商零件编号：
  SI3993CDV-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3189
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSS806NEH6327XTSA1, 2.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.3 A,
• 制造商零件编号：
  BSS806NEH6327XTSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-0109
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLML9303TRPBF, 2.3 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.3 A,
• 制造商零件编号：
  IRLML9303TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-4064
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET IRF9953TRPBF, 2.3 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.3 A,
• 制造商零件编号：
  IRF9953TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  915-4998
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI2301CDS-T1-GE3, 2.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.3 A,
• 制造商零件编号：
  SI2301CDS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-0250
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET IRF9953PBF, 2.3 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.3 A,
• 制造商零件编号：
  IRF9953PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-0339
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLML9303TRPBF, 2.3 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.3 A,
• 制造商零件编号：
  IRLML9303TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  725-9369
  
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• International Rectifier 双 P沟道 MOSFET 晶体管 IRFHS9351TR2PBF, 2.3 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.3 A,
• 制造商零件编号：
  IRFHS9351TR2PBF
  品牌：
  International Rectifier
  库存编号：
  737-7300
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 双 Si N沟道 MOSFET BSL306N, 2.3 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.3 A,
• 制造商零件编号：
  BSL306N
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-2790
  
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• STMicroelectronics STripFET V 系列 N沟道 Si MOSFET STR2N2VH5, 2.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.3 A,
• 制造商零件编号：
  STR2N2VH5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  791-7876
  
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• DiodesZetex 双 Si N沟道 MOSFET ZXMD63N03XTA, 2.3 A, Vds=30 V, 8引脚 MSOP封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.3 A,
• 制造商零件编号：
  ZXMD63N03XTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  823-3166
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 N沟道 Si MOSFET BSS806NH6327XT, 2.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.3 A,
• 制造商零件编号：
  BSS806NH6327XT
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-0096
  
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• Texas Instruments FemtoFET 系列 P沟道 Si MOSFET CSD23381F4, 2.3 A, Vds=12 V, 3引脚 PICOSTAR封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.3 A,
• 制造商零件编号：
  CSD23381F4
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4928
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 P沟道 Si MOSFET IRF7104PBF, 2.3 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.3 A,
• 制造商零件编号：
  IRF7104PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  540-9626
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDC6312P, 2.3 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.3 A,
• 制造商零件编号：
  FDC6312P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0340
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STD3NK50ZT4, 2.3 A, Vds=500 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.3 A,
• 制造商零件编号：
  STD3NK50ZT4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5178
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET NDS9948, 2.3 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.3 A,
• 制造商零件编号：
  NDS9948
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  761-3397
  
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• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET IRFM120ATF, 2.3 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.3 A,
• 制造商零件编号：
  IRFM120ATF
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-8717
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI1473DH-T1-GE3, 2.3 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.3 A,
• 制造商零件编号：
  SI1473DH-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3088
  
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• Texas Instruments FemtoFET 系列 P沟道 MOSFET 晶体管 CSD23381F4T, 2.3 A, Vds=12 V, 3引脚 PICOSTAR封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.3 A,
• 制造商零件编号：
  CSD23381F4T
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  823-9253
  
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