规格:最大连续漏极电流 4.5 A,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Toshiba P沟道 MOSFET 晶体管 TPC6108(TE85L,F), 4.5 A, Vds=30 V, 6引脚 VS封装
规格:最大连续漏极电流 4.5 A,
制造商零件编号:
TPC6108(TE85L,F)
品牌:
Toshiba
库存编号:
415-336
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF5N50NZ, 4.5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220F封装
规格:最大连续漏极电流 4.5 A,
制造商零件编号:
FDPF5N50NZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-4885
搜索
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA04N60C3, 4.5 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大连续漏极电流 4.5 A,
制造商零件编号:
SPA04N60C3
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3147
搜索
Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCU900N60Z, 4.5 A, Vds=600 V, 3引脚 IPAK封装
规格:最大连续漏极电流 4.5 A,
制造商零件编号:
FCU900N60Z
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
774-1124
查看其他仓库
STMicroelectronics MDmesh M2 系列 Si N沟道 MOSFET STD6N60M2, 4.5 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大连续漏极电流 4.5 A,
制造商零件编号:
STD6N60M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
786-3615
搜索
STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STL8N80K5, 4.5 A, Vds=800 V, 8引脚 PowerFLAT封装
规格:最大连续漏极电流 4.5 A,
制造商零件编号:
STL8N80K5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-7706
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS3992, 4.5 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大连续漏极电流 4.5 A,
制造商零件编号:
FDS3992
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3649
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Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SIA923EDJ-T1-GE3, 4.5 A, Vds=20 V, 6引脚 SC-70封装
规格:最大连续漏极电流 4.5 A,
制造商零件编号:
SIA923EDJ-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
814-1244
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET 晶体管 SIHF830S-GE3, 4.5 A, Vds=500 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大连续漏极电流 4.5 A,
制造商零件编号:
SIHF830S-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2654
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DiodesZetex P沟道 Si MOSFET DMP2066LVT-7, 4.5 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOT-26封装
规格:最大连续漏极电流 4.5 A,
制造商零件编号:
DMP2066LVT-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
828-3212
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ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET MCH6342-TL-W, 4.5 A, Vds=30 V, 6引脚 MCPH6封装
规格:最大连续漏极电流 4.5 A,
制造商零件编号:
MCH6342-TL-W
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
920-9818
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Toshiba Si N沟道 MOSFET 2SK4021(Q), 4.5 A, Vds=250 V, 3引脚 PW Mold2封装
规格:最大连续漏极电流 4.5 A,
制造商零件编号:
2SK4021(Q)
品牌:
Toshiba
库存编号:
362-793
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Panasonic N沟道 MOSFET 晶体管 FK6K02010L, 4.5 A, Vds=20 V, 6引脚 WSMini6-F1-B封装
规格:最大连续漏极电流 4.5 A,
制造商零件编号:
FK6K02010L
品牌:
Panasonic
库存编号:
728-6857
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPB04N60C3, 4.5 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
规格:最大连续漏极电流 4.5 A,
制造商零件编号:
SPB04N60C3
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8479
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDC638P, 4.5 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
规格:最大连续漏极电流 4.5 A,
制造商零件编号:
FDC638P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
761-4413
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STMicroelectronics MDmesh M2 系列 Si N沟道 MOSFET STF6N60M2, 4.5 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大连续漏极电流 4.5 A,
制造商零件编号:
STF6N60M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
786-3662
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Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SIA921EDJ-T1-GE3, 4.5 A, Vds=20 V, 6引脚 SC-70封装
规格:最大连续漏极电流 4.5 A,
制造商零件编号:
SIA921EDJ-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
814-1235
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ROHM Si N沟道 MOSFET RSQ045N03TR, 4.5 A, Vds=30 V, 3引脚 SC-95封装
规格:最大连续漏极电流 4.5 A,
制造商零件编号:
RSQ045N03TR
品牌:
ROHM
库存编号:
826-7778
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Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPS65R950C6AKMA1, 4.5 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-251封装
规格:最大连续漏极电流 4.5 A,
制造商零件编号:
IPS65R950C6AKMA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-7050
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP04N50C3XKSA1, 4.5 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大连续漏极电流 4.5 A,
制造商零件编号:
SPP04N50C3XKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8788
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF5N50FT, 4.5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220F封装
规格:最大连续漏极电流 4.5 A,
制造商零件编号:
FDPF5N50FT
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8616
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Vishay N沟道 Si MOSFET IRFI840GLCPBF, 4.5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大连续漏极电流 4.5 A,
制造商零件编号:
IRFI840GLCPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
543-2474
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Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDS3692, 4.5 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大连续漏极电流 4.5 A,
制造商零件编号:
FDS3692
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0501
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP5N60C, 4.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大连续漏极电流 4.5 A,
制造商零件编号:
FQP5N60C
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5152
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPD04N50C3ATMA1, 4.5 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-252封装
规格:最大连续漏极电流 4.5 A,
制造商零件编号:
SPD04N50C3ATMA1
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3178
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