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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRF610SPBF, 3.3 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 3.3 A,
• 制造商零件编号：
  IRF610SPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  543-2020
  
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• Taiwan Semiconductor Si P沟道 MOSFET TSM2313CX RFG, 3.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大连续漏极电流 3.3 A,
• 制造商零件编号：
  TSM2313CX RFG
  品牌：
  Taiwan Semiconductor
  库存编号：
  743-6068
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIHF720L-GE3, 3.3 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大连续漏极电流 3.3 A,
• 制造商零件编号：
  SIHF720L-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2639
  
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• DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMG2305UX-13, 3.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大连续漏极电流 3.3 A,
• 制造商零件编号：
  DMG2305UX-13
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  827-0522
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRF610PBF, 3.3 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大连续漏极电流 3.3 A,
• 制造商零件编号：
  IRF610PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  543-0046
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRF720PBF, 3.3 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大连续漏极电流 3.3 A,
• 制造商零件编号：
  IRF720PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  543-0080
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQPF6N80T, 3.3 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：最大连续漏极电流 3.3 A,
• 制造商零件编号：
  FQPF6N80T
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-5917
  
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• DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMG2305UX-7, 3.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大连续漏极电流 3.3 A,
• 制造商零件编号：
  DMG2305UX-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  827-0452
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXMN3A01ZTA, 3.3 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-89封装
  
  规格：最大连续漏极电流 3.3 A,
• 制造商零件编号：
  ZXMN3A01ZTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  885-5687
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDT86113LZ, 3.3 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：最大连续漏极电流 3.3 A,
• 制造商零件编号：
  FDT86113LZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9715
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STD3NM60N, 3.3 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 3.3 A,
• 制造商零件编号：
  STD3NM60N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-2905
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDMA3027PZ, 3.3 A, Vds=30 V, 6引脚 MLP封装
  
  规格：最大连续漏极电流 3.3 A,
• 制造商零件编号：
  FDMA3027PZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3478
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI4823DY-T1-GE3, 3.3 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大连续漏极电流 3.3 A,
• 制造商零件编号：
  SI4823DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1283
  
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• DiodesZetex P沟道 Si MOSFET DMP2160U-7, 3.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大连续漏极电流 3.3 A,
• 制造商零件编号：
  DMP2160U-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  751-4247
  
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• ON Semiconductor 双 N/P沟道 Si MOSFET NTGD1100LT1G, 3.3 A, Vds=8 V, 6引脚 TSOP封装
  
  规格：最大连续漏极电流 3.3 A,
• 制造商零件编号：
  NTGD1100LT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-0551
  
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• ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET NTJS3151PT1G, 3.3 A, Vds=12 V, 6引脚 SC-88封装
  
  规格：最大连续漏极电流 3.3 A,
• 制造商零件编号：
  NTJS3151PT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-0620
  
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• Fairchild Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET FDSS2407, 3.3 A, Vds=62 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大连续漏极电流 3.3 A,
• 制造商零件编号：
  FDSS2407
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8739
  
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