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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9Z34NPBF, 19 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大连续漏极电流 19 A,
• 制造商零件编号：
  IRF9Z34NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-0806
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP19N20C, 19 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大连续漏极电流 19 A,
• 制造商零件编号：
  FQP19N20C
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5042
  
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• Panasonic SK 系列 Si N沟道 MOSFET SK8403190L, 19 A, Vds=30 V, 8引脚 HSSO8-F1-B封装
  
  规格：最大连续漏极电流 19 A,
• 制造商零件编号：
  SK8403190L
  品牌：
  Panasonic
  库存编号：
  787-7633
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB24NM65N, 19 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 19 A,
• 制造商零件编号：
  STB24NM65N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  811-1079
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFI4229PBF, 19 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大连续漏极电流 19 A,
• 制造商零件编号：
  IRFI4229PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3975
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9Z34NPBF, 19 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大连续漏极电流 19 A,
• 制造商零件编号：
  IRF9Z34NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4867
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9Z34NSPBF, 19 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 19 A,
• 制造商零件编号：
  IRF9Z34NSPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  542-9484
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 IRF7834PBF, 19 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大连续漏极电流 19 A,
• 制造商零件编号：
  IRF7834PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-4104
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQB19N20CTM, 19 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 19 A,
• 制造商零件编号：
  FQB19N20CTM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0867
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9540, 19 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大连续漏极电流 19 A,
• 制造商零件编号：
  IRF9540PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-5152
  
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• Panasonic N沟道 MOSFET 晶体管 SK8603190L, 19 A, Vds=30 V, 8引脚 HSO8-F4-B封装
  
  规格：最大连续漏极电流 19 A,
• 制造商零件编号：
  SK8603190L
  品牌：
  Panasonic
  库存编号：
  787-7658
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si P沟道 MOSFET FQPF27P06, 19 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大连续漏极电流 19 A,
• 制造商零件编号：
  FQPF27P06
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-5901
  
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• ROHM N沟道 Si MOSFET R5019ANX, 19 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FM封装
  
  规格：最大连续漏极电流 19 A,
• 制造商零件编号：
  R5019ANX
  品牌：
  ROHM
  库存编号：
  826-7523
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET AUIRF9Z34N, 19 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大连续漏极电流 19 A,
• 制造商零件编号：
  AUIRF9Z34N
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  912-8621
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDA18N50, 19 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-3P封装
  
  规格：最大连续漏极电流 19 A,
• 制造商零件编号：
  FDA18N50
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4777
  
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• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDP8870, 19 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大连续漏极电流 19 A,
• 制造商零件编号：
  FDP8870
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4869
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQPF19N20C, 19 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：最大连续漏极电流 19 A,
• 制造商零件编号：
  FQPF19N20C
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5247
  
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• ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 NTD6416ANL-1G, 19 A, Vds=100 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 19 A,
• 制造商零件编号：
  NTD6416ANL-1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  719-2923
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD6416ANLT4G, 19 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 19 A,
• 制造商零件编号：
  NTD6416ANLT4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  719-2932
  
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• STMicroelectronics N沟道 MOSFET 晶体管 STI24NM65N, 19 A, Vds=710 V, 3引脚 I2PAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 19 A,
• 制造商零件编号：
  STI24NM65N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9617
  
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• MagnaChip Si N沟道 MOSFET MDS1524URH, 19 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大连续漏极电流 19 A,
• 制造商零件编号：
  MDS1524URH
  品牌：
  MagnaChip
  库存编号：
  871-4978
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIR462DP-T1-GE3, 19 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  规格：最大连续漏极电流 19 A,
• 制造商零件编号：
  SIR462DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3402
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC86240, 19 A, Vds=150 V, 8引脚 MLP封装
  
  规格：最大连续漏极电流 19 A,
• 制造商零件编号：
  FDMC86240
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-6317
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET AUIRF9Z34N, 19 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大连续漏极电流 19 A,
• 制造商零件编号：
  AUIRF9Z34N
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1803
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIS330DN-T1-GE3, 19 A, Vds=30 V, 8引脚 PowePAK 1212封装
  
  规格：最大连续漏极电流 19 A,
• 制造商零件编号：
  SIS330DN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1301
  
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