规格:最大连续漏极电流 150 A,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF1405ZS, 150 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大连续漏极电流 150 A,
制造商零件编号:
AUIRF1405ZS
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7414
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL7833STRLPBF, 150 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大连续漏极电流 150 A,
制造商零件编号:
IRL7833STRLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
915-5083
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL7833PBF, 150 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大连续漏极电流 150 A,
制造商零件编号:
IRL7833PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7193
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL7833SPBF, 150 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大连续漏极电流 150 A,
制造商零件编号:
IRL7833SPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7197
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF1405ZL, 150 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
规格:最大连续漏极电流 150 A,
制造商零件编号:
AUIRF1405ZL
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7405
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 FDMC7660DC, 150 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 33封装
规格:最大连续漏极电流 150 A,
制造商零件编号:
FDMC7660DC
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9535
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IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFK150N30P3, 150 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-264封装
规格:最大连续漏极电流 150 A,
制造商零件编号:
IXFK150N30P3
品牌:
IXYS
库存编号:
802-4398
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IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFX150N30P3, 150 A, Vds=300 V, 3引脚 PLUS247封装
规格:最大连续漏极电流 150 A,
制造商零件编号:
IXFX150N30P3
品牌:
IXYS
库存编号:
802-4495
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1405ZPBF, 150 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大连续漏极电流 150 A,
制造商零件编号:
IRF1405ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
865-5734
搜索
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMFS5C423NLT1G, 150 A, Vds=40 V, 5引脚 DFN封装
规格:最大连续漏极电流 150 A,
制造商零件编号:
NTMFS5C423NLT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
900-8810
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF1405ZS, 150 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大连续漏极电流 150 A,
制造商零件编号:
AUIRF1405ZS
品牌:
Infineon
库存编号:
913-4082
查看其他仓库
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMFS5C628NLT1G, 150 A, Vds=60 V, 5引脚 DFN封装
规格:最大连续漏极电流 150 A,
制造商零件编号:
NTMFS5C628NLT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
922-9572
搜索
Fairchild Semiconductor 六 Si N沟道 MOSFET FTCO3V455A1, 150 A, Vds=40 V, 19引脚 PDIP封装
规格:最大连续漏极电流 150 A,
制造商零件编号:
FTCO3V455A1
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
862-9227
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IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFN180N15P, 150 A, Vds=150 V, 4引脚 SOT-227B封装
规格:最大连续漏极电流 150 A,
制造商零件编号:
IXFN180N15P
品牌:
IXYS
库存编号:
920-0757
搜索
IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFN180N15P, 150 A, Vds=150 V, 4引脚 SOT-227B封装
规格:最大连续漏极电流 150 A,
制造商零件编号:
IXFN180N15P
品牌:
IXYS
库存编号:
194-259
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1405ZS-7PPBF, 150 A, Vds=55 V, 7引脚 D2PAK封装
规格:最大连续漏极电流 150 A,
制造商零件编号:
IRF1405ZS-7PPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
495-669
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLB8743PBF, 150 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大连续漏极电流 150 A,
制造商零件编号:
IRLB8743PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9325
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NVMFS5C423NLT1G, 150 A, Vds=40 V, 5引脚 DFN封装
规格:最大连续漏极电流 150 A,
制造商零件编号:
NVMFS5C423NLT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
900-8826
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLB8743PBF, 150 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大连续漏极电流 150 A,
制造商零件编号:
IRLB8743PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-4045
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