规格:最大连续漏极电流 110 A,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3205SPBF, 110 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大连续漏极电流 110 A,
制造商零件编号:
IRF3205SPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
542-9210
搜索
Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SUM110N06-3M4L-E3, 110 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
规格:最大连续漏极电流 110 A,
制造商零件编号:
SUM110N06-3M4L-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-5010
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3205Z, 110 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大连续漏极电流 110 A,
制造商零件编号:
AUIRF3205Z
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7436
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3205ZS, 110 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大连续漏极电流 110 A,
制造商零件编号:
AUIRF3205ZS
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7439
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFP064N, 110 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-247AC封装
规格:最大连续漏极电流 110 A,
制造商零件编号:
AUIRFP064N
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1816
搜索
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMFS5832NLT1G, 110 A, Vds=40 V, 8引脚 SO-8FL封装
规格:最大连续漏极电流 110 A,
制造商零件编号:
NTMFS5832NLT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
753-2686
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Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDB9403_F085, 110 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263AB封装
规格:最大连续漏极电流 110 A,
制造商零件编号:
FDB9403_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
774-1060
查看其他仓库
STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STL110N10F7, 110 A, Vds=100 V, 8引脚 PowerFLAT封装
规格:最大连续漏极电流 110 A,
制造商零件编号:
STL110N10F7
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
786-3726
搜索
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STW120NF10, 110 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大连续漏极电流 110 A,
制造商零件编号:
STW120NF10
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
810-3700
搜索
Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD19531KCS, 110 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大连续漏极电流 110 A,
制造商零件编号:
CSD19531KCS
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4912
搜索
STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP240N10F7, 110 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大连续漏极电流 110 A,
制造商零件编号:
STP240N10F7
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
860-7567
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Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SUM110P06-08L-E3, 110 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
规格:最大连续漏极电流 110 A,
制造商零件编号:
SUM110P06-08L-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-5740
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Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SUM110P06-07L-E3, 110 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
规格:最大连续漏极电流 110 A,
制造商零件编号:
SUM110P06-07L-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-5756
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP064NPBF, 110 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-247AC封装
规格:最大连续漏极电流 110 A,
制造商零件编号:
IRFP064NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-0008
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3205ZPBF, 110 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大连续漏极电流 110 A,
制造商零件编号:
IRF3205ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6829
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STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STP110N10F7, 110 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大连续漏极电流 110 A,
制造商零件编号:
STP110N10F7
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
786-3776
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Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD19531Q5AT, 110 A, Vds=100 V, 8引脚 VSON封装
规格:最大连续漏极电流 110 A,
制造商零件编号:
CSD19531Q5AT
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
823-9259
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL7540PBF, 110 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-262封装
规格:最大连续漏极电流 110 A,
制造商零件编号:
IRFSL7540PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-5132
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFP064N, 110 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-247AC封装
规格:最大连续漏极电流 110 A,
制造商零件编号:
AUIRFP064N
品牌:
Infineon
库存编号:
912-8630
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STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STL110N10F7, 110 A, Vds=100 V, 8引脚 PowerFLAT封装
规格:最大连续漏极电流 110 A,
制造商零件编号:
STL110N10F7
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-6648
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STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STP110N10F7, 110 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大连续漏极电流 110 A,
制造商零件编号:
STP110N10F7
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
103-2007
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3711PBF, 110 A, Vds=20 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大连续漏极电流 110 A,
制造商零件编号:
IRF3711PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-2351
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Vishay Si P沟道 MOSFET SUM110P06-08L-E3, 110 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
规格:最大连续漏极电流 110 A,
制造商零件编号:
SUM110P06-08L-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-5014
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IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFB110N60P3, 110 A, Vds=600 V, 3引脚 PLUS264封装
规格:最大连续漏极电流 110 A,
制造商零件编号:
IXFB110N60P3
品牌:
IXYS
库存编号:
802-4344
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Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB7540PBF, 110 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大连续漏极电流 110 A,
制造商零件编号:
IRFB7540PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
820-8849
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