规格:最大连续漏极电流 1.9 A,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP171P, 1.9 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
规格:最大连续漏极电流 1.9 A,
制造商零件编号:
BSP171P
品牌:
Infineon
库存编号:
167-942
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET IRFR9210TRPBF, 1.9 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-252封装
规格:最大连续漏极电流 1.9 A,
制造商零件编号:
IRFR9210TRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
812-0657
搜索
MagnaChip N沟道 Si MOSFET MDD2N60RH, 1.9 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大连续漏极电流 1.9 A,
制造商零件编号:
MDD2N60RH
品牌:
MagnaChip
库存编号:
871-6637
查看其他仓库
Vishay Si P沟道 MOSFET IRFU9210PBF, 1.9 A, Vds=200 V, 3引脚 IPAK封装
规格:最大连续漏极电流 1.9 A,
制造商零件编号:
IRFU9210PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-1679
搜索
DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXMN10B08E6TA, 1.9 A, Vds=100 V, 6引脚 SOT-23封装
规格:最大连续漏极电流 1.9 A,
制造商零件编号:
ZXMN10B08E6TA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
669-7420
搜索
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTR4502PT1G, 1.9 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大连续漏极电流 1.9 A,
制造商零件编号:
NTR4502PT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
773-7897
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 N沟道 Si MOSFET FDG311N, 1.9 A, Vds=20 V, 6引脚 SC-70封装
规格:最大连续漏极电流 1.9 A,
制造商零件编号:
FDG311N
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3374
查看其他仓库
Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPU80R2K8CEBKMA1, 1.9 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-251封装
规格:最大连续漏极电流 1.9 A,
制造商零件编号:
IPU80R2K8CEBKMA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-7104
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRF7465PBF, 1.9 A, Vds=150 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大连续漏极电流 1.9 A,
制造商零件编号:
IRF7465PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-5019
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Nexperia Si N沟道 MOSFET BSH108,215, 1.9 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-236AB封装
规格:最大连续漏极电流 1.9 A,
制造商零件编号:
BSH108,215
品牌:
Nexperia
库存编号:
509-324
搜索
Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDN357N, 1.9 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大连续漏极电流 1.9 A,
制造商零件编号:
FDN357N
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0441
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDC6306P, 1.9 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
规格:最大连续漏极电流 1.9 A,
制造商零件编号:
FDC6306P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
761-9834
搜索
Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP170PH6327XTSA1, 1.9 A, Vds=60 V, 3引脚 SOT-223封装
规格:最大连续漏极电流 1.9 A,
制造商零件编号:
BSP170PH6327XTSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9250
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRF7465TRPBF, 1.9 A, Vds=150 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大连续漏极电流 1.9 A,
制造商零件编号:
IRF7465TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-3861
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXMN10A08E6TA, 1.9 A, Vds=100 V, 6引脚 SOT-23封装
规格:最大连续漏极电流 1.9 A,
制造商零件编号:
ZXMN10A08E6TA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
922-8033
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQU2N60CTU, 1.9 A, Vds=600 V, 3引脚 IPAK封装
规格:最大连续漏极电流 1.9 A,
制造商零件编号:
FQU2N60CTU
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5357
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NXP N沟道 Si MOSFET PMV213SN,215, 1.9 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-236AB封装
规格:最大连续漏极电流 1.9 A,
制造商零件编号:
PMV213SN,215
品牌:
Nexperia
库存编号:
725-8326
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQD2N60CTM, 1.9 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大连续漏极电流 1.9 A,
制造商零件编号:
FQD2N60CTM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
808-9017
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