以下搜索结果

• 产品描述 / 参考图片
• 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
• 操作

• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STW28NM50N, 21 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
  
  品牌：STMicroelectronics,规格：最大连续漏极电流 21 A,
• 制造商零件编号：
  STW28NM50N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  103-1992
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STW28NM50N, 21 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
  
  品牌：STMicroelectronics,规格：最大连续漏极电流 21 A,
• 制造商零件编号：
  STW28NM50N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0308
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STF28NM50N, 21 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  品牌：STMicroelectronics,规格：最大连续漏极电流 21 A,
• 制造商零件编号：
  STF28NM50N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-2802
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP26NM60ND, 21 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  品牌：STMicroelectronics,规格：最大连续漏极电流 21 A,
• 制造商零件编号：
  STP26NM60ND
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  829-1456
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STW26NM60ND, 21 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  品牌：STMicroelectronics,规格：最大连续漏极电流 21 A,
• 制造商零件编号：
  STW26NM60ND
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  829-1497
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics FDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STB26NM60ND, 21 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  品牌：STMicroelectronics,规格：最大连续漏极电流 21 A,
• 制造商零件编号：
  STB26NM60ND
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  829-7057
  
• 
  查看其他仓库

• STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STW25NM60ND, 21 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  品牌：STMicroelectronics,规格：最大连续漏极电流 21 A,
• 制造商零件编号：
  STW25NM60ND
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  103-1990
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP25NM60ND, 21 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  品牌：STMicroelectronics,规格：最大连续漏极电流 21 A,
• 制造商零件编号：
  STP25NM60ND
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0089
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STW25NM60ND, 21 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  品牌：STMicroelectronics,规格：最大连续漏极电流 21 A,
• 制造商零件编号：
  STW25NM60ND
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0301
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STF26NM60ND, 21 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  品牌：STMicroelectronics,规格：最大连续漏极电流 21 A,
• 制造商零件编号：
  STF26NM60ND
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  829-7097
  
• 
  查看其他仓库

• STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 N沟道 Si MOSFET STF28N60DM2, 21 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  品牌：STMicroelectronics,规格：最大连续漏极电流 21 A,
• 制造商零件编号：
  STF28N60DM2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  111-6463
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STB25NM60ND, 21 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-263封装
  
  品牌：STMicroelectronics,规格：最大连续漏极电流 21 A,
• 制造商零件编号：
  STB25NM60ND
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9493
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP28NM50N, 21 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220封装
  
  品牌：STMicroelectronics,规格：最大连续漏极电流 21 A,
• 制造商零件编号：
  STP28NM50N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0092
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STF25NM60ND, 21 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  品牌：STMicroelectronics,规格：最大连续漏极电流 21 A,
• 制造商零件编号：
  STF25NM60ND
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-2798
  
• 
  搜索