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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF8734PBF, 21 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 21 A,
• 制造商零件编号：
  IRF8734PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6891
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP21N50C3, 21 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-220封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 21 A,
• 制造商零件编号：
  SPP21N50C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3207
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC520N15NS3 G, 21 A, Vds=150 V, 8引脚 TDSON封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 21 A,
• 制造商零件编号：
  BSC520N15NS3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5323
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ520N15NS3 G, 21 A, Vds=150 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 21 A,
• 制造商零件编号：
  BSZ520N15NS3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5389
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB530N15N3G, 21 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-263封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 21 A,
• 制造商零件编号：
  IPB530N15N3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8982
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BUZ30A H, 21 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 21 A,
• 制造商零件编号：
  BUZ30A H
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2214
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BUZ30A, 21 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 21 A,
• 制造商零件编号：
  BUZ30A
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  298-342
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3315SPBF, 21 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 21 A,
• 制造商零件编号：
  IRF3315SPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  301-158
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFIZ34NPBF, 21 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 21 A,
• 制造商零件编号：
  IRFIZ34NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  542-9743
  
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• Infineon HEXFET 系列 P沟道 MOSFET 晶体管 IRFH9310TRPBF, 21 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 21 A,
• 制造商零件编号：
  IRFH9310TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7322
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFHS8242TRPBF, 21 A, Vds=25 V, 6引脚 PQFN封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 21 A,
• 制造商零件编号：
  IRFHS8242TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3969
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 SPI21N50C3, 21 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-262封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 21 A,
• 制造商零件编号：
  SPI21N50C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8772
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7862PBF, 21 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 21 A,
• 制造商零件编号：
  IRF7862PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  495-887
  
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• Infineon CoolMOS CFD 系列 Si N沟道 MOSFET SPP20N60CFD, 21 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 21 A,
• 制造商零件编号：
  SPP20N60CFD
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3204
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3315S, 21 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 21 A,
• 制造商零件编号：
  AUIRF3315S
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-9124
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 N沟道 Si MOSFET IPB60R165CP, 21 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 21 A,
• 制造商零件编号：
  IPB60R165CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9178
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPW20N60C3, 21 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 21 A,
• 制造商零件编号：
  SPW20N60C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  462-3449
  
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• Infineon Si N沟道 MOSFET SPB21N50C3, 21 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-263封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 21 A,
• 制造商零件编号：
  SPB21N50C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3162
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BUZ30AH3045A, 21 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-263封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 21 A,
• 制造商零件编号：
  BUZ30AH3045A
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9068
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3315STRLPBF, 21 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 21 A,
• 制造商零件编号：
  IRF3315STRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  831-2803
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPI21N50C3XKSA1, 21 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-262封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 21 A,
• 制造商零件编号：
  SPI21N50C3XKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8781
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP530N15N3 G, 21 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 21 A,
• 制造商零件编号：
  IPP530N15N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2305
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPW21N50C3, 21 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-247封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 21 A,
• 制造商零件编号：
  SPW21N50C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7179
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP20N60C3, 21 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 21 A,
• 制造商零件编号：
  SPP20N60C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  462-3376
  
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