规格:最大连续漏极电流 200 mA,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET BSS138LT3G, 200 mA, Vds=50 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大连续漏极电流 200 mA,
制造商零件编号:
BSS138LT3G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
690-0136
搜索
DiodesZetex Si N沟道 MOSFET BSS138W-7-F, 200 mA, Vds=50 V, 3引脚 SOT-323封装
规格:最大连续漏极电流 200 mA,
制造商零件编号:
BSS138W-7-F
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
708-2419
搜索
Nexperia Si P沟道 MOSFET BSS192,115, 200 mA, Vds=240 V, 3引脚 SOT-89封装
规格:最大连续漏极电流 200 mA,
制造商零件编号:
BSS192,115
品牌:
Nexperia
库存编号:
725-8313
搜索
Semelab N沟道 MOSFET 晶体管 2N7000CSM, 200 mA, Vds=60 V, 3引脚 LCC 1封装
规格:最大连续漏极电流 200 mA,
制造商零件编号:
2N7000CSM
品牌:
Semelab
库存编号:
738-7593
查看其他仓库
DiodesZetex P沟道 Si MOSFET ZVP4525E6TA, 200 mA, Vds=250 V, 6引脚 SOT-23封装
规格:最大连续漏极电流 200 mA,
制造商零件编号:
ZVP4525E6TA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-5275
搜索
ROHM Si P沟道 MOSFET RSE002P03TL, 200 mA, Vds=30 V, 3引脚 SC-75A封装
规格:最大连续漏极电流 200 mA,
制造商零件编号:
RSE002P03TL
品牌:
ROHM
库存编号:
826-7762
搜索
Fairchild Semiconductor N沟道 Si MOSFET 2N7000_D26Z, 200 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-92封装
规格:最大连续漏极电流 200 mA,
制造商零件编号:
2N7000_D26Z
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
903-4074
搜索
DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZVN4106FTA, 200 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大连续漏极电流 200 mA,
制造商零件编号:
ZVN4106FTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
922-7790
搜索
DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZVN4106FTA, 200 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大连续漏极电流 200 mA,
制造商零件编号:
ZVN4106FTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
169-4123
搜索
DiodesZetex 双 Si N沟道 MOSFET BSS138DW-7-F, 200 mA, Vds=50 V, 6引脚 SOT-363封装
规格:最大连续漏极电流 200 mA,
制造商零件编号:
BSS138DW-7-F
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
708-2481
搜索
Semelab Si N沟道 MOSFET D2081UK.F, 200 mA, Vds=65 V, 3针+焊片 SOT-223封装
规格:最大连续漏极电流 200 mA,
制造商零件编号:
D2081UK.F
品牌:
Semelab
库存编号:
738-7720
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor N沟道 Si MOSFET 2N7000TA, 200 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-92封装
规格:最大连续漏极电流 200 mA,
制造商零件编号:
2N7000TA
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-0224
搜索
Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET SN7002N, 200 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大连续漏极电流 200 mA,
制造商零件编号:
SN7002N
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3134
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQT1N60CTF_WS, 200 mA, Vds=600 V, 3针+焊片 SOT-223封装
规格:最大连续漏极电流 200 mA,
制造商零件编号:
FQT1N60CTF_WS
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-5926
查看其他仓库
Vishay N沟道 Si MOSFET SI1032X-T1-GE3, 200 mA, Vds=20 V, 3引脚 SC-75A封装
规格:最大连续漏极电流 200 mA,
制造商零件编号:
SI1032X-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3031
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Nexperia 双 Si P沟道 MOSFET NX3008PBKS, 200 mA, Vds=30 V, 6引脚 SOT-363封装
规格:最大连续漏极电流 200 mA,
制造商零件编号:
NX3008PBKS
品牌:
Nexperia
库存编号:
816-0573
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Nexperia Si P沟道 MOSFET NX3008PBKW, 200 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-323封装
规格:最大连续漏极电流 200 mA,
制造商零件编号:
NX3008PBKW
品牌:
Nexperia
库存编号:
816-0582
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DiodesZetex P沟道 Si MOSFET ZVP4424ZTA, 200 mA, Vds=240 V, 3引脚 SOT-89封装
规格:最大连续漏极电流 200 mA,
制造商零件编号:
ZVP4424ZTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
823-1858
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Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS7728NH6327, 200 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大连续漏极电流 200 mA,
制造商零件编号:
BSS7728NH6327
品牌:
Infineon
库存编号:
827-0036
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET BSS138LT1G, 200 mA, Vds=50 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大连续漏极电流 200 mA,
制造商零件编号:
BSS138LT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
103-2965
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DiodesZetex P沟道 Si MOSFET ZVP4424A, 200 mA, Vds=240 V, 3引脚 E-Line封装
规格:最大连续漏极电流 200 mA,
制造商零件编号:
ZVP4424A
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
157-4625
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET BSS138LT1G, 200 mA, Vds=50 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大连续漏极电流 200 mA,
制造商零件编号:
BSS138LT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
545-2529
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET 2N7000G, 200 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-92封装
规格:最大连续漏极电流 200 mA,
制造商零件编号:
2N7000G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
545-2620
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET BSS138TA, 200 mA, Vds=50 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大连续漏极电流 200 mA,
制造商零件编号:
BSS138TA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
669-7559
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET BSS138-7-F, 200 mA, Vds=50 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大连续漏极电流 200 mA,
制造商零件编号:
BSS138-7-F
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
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