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• ATF-54143-BLKG HEMT, 120 mA 5 V 单双源, 4针 SOT-343封装
  
  规格：最大连续漏极电流 120 mA,
• 制造商零件编号：
  ATF-54143-BLKG
  品牌：
  Broadcom
  库存编号：
  450-783
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP125H6327XTSA1, 120 mA, Vds=600 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：最大连续漏极电流 120 mA,
• 制造商零件编号：
  BSP125H6327XTSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9276
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP125H6433XTMA1, 120 mA, Vds=600 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：最大连续漏极电流 120 mA,
• 制造商零件编号：
  BSP125H6433XTMA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8497
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP135H6906XTSA1, 120 mA, Vds=600 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：最大连续漏极电流 120 mA,
• 制造商零件编号：
  BSP135H6906XTSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8491
  
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• Fairchild Semiconductor P沟道 Si MOSFET FDV302P, 120 mA, Vds=25 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大连续漏极电流 120 mA,
• 制造商零件编号：
  FDV302P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  354-4935
  
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• Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET NDS0610, 120 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大连续漏极电流 120 mA,
• 制造商零件编号：
  NDS0610
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-1074
  
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• Microchip Si N沟道 MOSFET DN2540N3-G, 120 mA, Vds=400 V, 3引脚 TO-92封装
  
  规格：最大连续漏极电流 120 mA,
• 制造商零件编号：
  DN2540N3-G
  品牌：
  Microchip
  库存编号：
  829-3235
  
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• Microchip Si N沟道 MOSFET DN2535N3-G, 120 mA, Vds=350 V, 3引脚 TO-92封装
  
  规格：最大连续漏极电流 120 mA,
• 制造商零件编号：
  DN2535N3-G
  品牌：
  Microchip
  库存编号：
  829-3332
  
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