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• Toshiba Si N沟道 MOSFET 晶体管 2SK2508(F), 13 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220NIS封装
  
  规格：最大连续漏极电流 13 A,
• 制造商零件编号：
  2SK2508(F)
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  185-625
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP13NK60Z, 13 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大连续漏极电流 13 A,
• 制造商零件编号：
  STP13NK60Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  103-1079
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7413PBF, 13 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大连续漏极电流 13 A,
• 制造商零件编号：
  IRF7413PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-2468
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS6670A, 13 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大连续漏极电流 13 A,
• 制造商零件编号：
  FDS6670A
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0582
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET AUIRFR6215, 13 A, Vds=150 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 13 A,
• 制造商零件编号：
  AUIRFR6215
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7411
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP13NK60ZFP, 13 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大连续漏极电流 13 A,
• 制造商零件编号：
  STP13NK60ZFP
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9998
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET 晶体管 STF18N55M5, 13 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大连续漏极电流 13 A,
• 制造商零件编号：
  STF18N55M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0449
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STF18N60M2, 13 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大连续漏极电流 13 A,
• 制造商零件编号：
  STF18N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  786-3647
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STP18N60M2, 13 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大连续漏极电流 13 A,
• 制造商零件编号：
  STP18N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  791-7813
  
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• STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STB18NM60ND, 13 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 13 A,
• 制造商零件编号：
  STB18NM60ND
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  791-9267
  
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• ROHM N沟道 Si MOSFET ZDX130N50, 13 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FM封装
  
  规格：最大连续漏极电流 13 A,
• 制造商零件编号：
  ZDX130N50
  品牌：
  ROHM
  库存编号：
  826-7841
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR6215TRPBF, 13 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  规格：最大连续漏极电流 13 A,
• 制造商零件编号：
  IRFR6215TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4076
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 N沟道 Si MOSFET IPI50R250CP, 13 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：最大连续漏极电流 13 A,
• 制造商零件编号：
  IPI50R250CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4697
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFU13N20DPBF, 13 A, Vds=200 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 13 A,
• 制造商零件编号：
  IRFU13N20DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  865-5847
  
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• MagnaChip Si N沟道 MOSFET MMF60R290PTH, 13 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：最大连续漏极电流 13 A,
• 制造商零件编号：
  MMF60R290PTH
  品牌：
  MagnaChip
  库存编号：
  871-5034
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ900N15NS3 G, 13 A, Vds=150 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  规格：最大连续漏极电流 13 A,
• 制造商零件编号：
  BSZ900N15NS3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  898-6886
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR6215TRPBF, 13 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  规格：最大连续漏极电流 13 A,
• 制造商零件编号：
  IRFR6215TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-4792
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF6215PBF, 13 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大连续漏极电流 13 A,
• 制造商零件编号：
  IRF6215PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4927
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STD18N55M5, 13 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大连续漏极电流 13 A,
• 制造商零件编号：
  STD18N55M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-8705
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7413QPBF, 13 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大连续漏极电流 13 A,
• 制造商零件编号：
  IRF7413QPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  495-653
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW13NK100Z, 13 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大连续漏极电流 13 A,
• 制造商零件编号：
  STW13NK100Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  103-1573
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW13NK60Z, 13 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大连续漏极电流 13 A,
• 制造商零件编号：
  STW13NK60Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  486-3091
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF6722MTR1PBF, 13 A, Vds=30 V, 7引脚 DirectFET MP封装
  
  规格：最大连续漏极电流 13 A,
• 制造商零件编号：
  IRF6722MTR1PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6762
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 双 Si N沟道 MOSFET BSC750N10ND G, 13 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装
  
  规格：最大连续漏极电流 13 A,
• 制造商零件编号：
  BSC750N10ND G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5327
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7413ZPBF, 13 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大连续漏极电流 13 A,
• 制造商零件编号：
  IRF7413ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-0296
  
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