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• STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 N沟道 Si MOSFET STB18N60DM2, 12 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  STB18N60DM2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  111-6459
  
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• STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 N沟道 Si MOSFET STW18N60DM2, 12 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  STW18N60DM2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  111-6479
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9Z24NSPBF, 12 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  IRF9Z24NSPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-4255
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS5672, 12 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  FDS5672
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0542
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP3632, 12 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  FDP3632
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4828
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9530PBF, 12 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  IRF9530PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-5159
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9328PBF, 12 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  IRF9328PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  725-9240
  
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• ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 NTMS5835NLR2G, 12 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  NTMS5835NLR2G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  747-0920
  
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• Panasonic N沟道 MOSFET 晶体管 FK8V03040L, 12 A, Vds=33 V, 8引脚 WMini8-F1封装
  
  规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  FK8V03040L
  品牌：
  Panasonic
  库存编号：
  749-8243
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPB60R250CP, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  IPB60R250CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8356
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R250CP, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  IPP60R250CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3049
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STF15NM65N, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  STF15NM65N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0446
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STF14NM50N, 12 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  STF14NM50N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-2754
  
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• Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHB12N60E-GE3, 12 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  SIHB12N60E-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  768-9300
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STL16N65M5, 12 A, Vds=710 V, 5引脚 PowerFLAT HV封装
  
  规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  STL16N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-3043
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SIA447DJ-T1-GE3, 12 A, Vds=12 V, 6引脚 PowerPAK SC-70封装
  
  规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  SIA447DJ-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9288
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD3055-094T4G, 12 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  NTD3055-094T4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  791-6286
  
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• STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STP13N80K5, 12 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  STP13N80K5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  791-7807
  
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• STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STB13N80K5, 12 A, Vds=800 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  STB13N80K5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  792-5704
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 N沟道 Si MOSFET FDMC8030, 12 A, Vds=40 V, 8引脚 Power 33封装
  
  规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  FDMC8030
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3504
  
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• ROHM N沟道 Si MOSFET R6012ANX, 12 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FM封装
  
  规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  R6012ANX
  品牌：
  ROHM
  库存编号：
  826-7539
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPB50R299CP, 12 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  IPB50R299CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5158
  
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• STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STW15N95K5, 12 A, Vds=950 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  STW15N95K5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  829-1493
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPI60R250CPAKSA1, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  IPI60R250CPAKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6700
  
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• Fairchild Semiconductor P沟道 Si MOSFET FQU17P06TU, 12 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  FQU17P06TU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-4740
  
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