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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD90N03S4L-03, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大连续漏极电流 90 A,
• 制造商零件编号：
  IPD90N03S4L-03
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7479
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD031N03L G, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大连续漏极电流 90 A,
• 制造商零件编号：
  IPD031N03L G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5446
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP037N06L3 G, 90 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大连续漏极电流 90 A,
• 制造商零件编号：
  IPP037N06L3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5487
  
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• Toshiba Si N沟道 MOSFET 晶体管 TK40E10N1,S1X(S, 90 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大连续漏极电流 90 A,
• 制造商零件编号：
  TK40E10N1,S1X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5144
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD053N08N3G, 90 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大连续漏极电流 90 A,
• 制造商零件编号：
  IPD053N08N3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9102
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD036N04L G, 90 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大连续漏极电流 90 A,
• 制造商零件编号：
  IPD036N04L G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9364
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD040N03LGBTMA1, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大连续漏极电流 90 A,
• 制造商零件编号：
  IPD040N03LGBTMA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4562
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPI90N04S4-02, 90 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：最大连续漏极电流 90 A,
• 制造商零件编号：
  IPI90N04S4-02
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6811
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPP90N04S4-02, 90 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大连续漏极电流 90 A,
• 制造商零件编号：
  IPP90N04S4-02
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-7031
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPP90N06S4L-04, 90 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大连续漏极电流 90 A,
• 制造商零件编号：
  IPP90N06S4L-04
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-7038
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPS031N03LGAKMA1, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-251封装
  
  规格：最大连续漏极电流 90 A,
• 制造商零件编号：
  IPS031N03LGAKMA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-7044
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPS040N03L G, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-251封装
  
  规格：最大连续漏极电流 90 A,
• 制造商零件编号：
  IPS040N03L G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2138
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK40E10N1,S1X(S, 90 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大连续漏极电流 90 A,
• 制造商零件编号：
  TK40E10N1,S1X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2388
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB034N06L3 G, 90 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：最大连续漏极电流 90 A,
• 制造商零件编号：
  IPB034N06L3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7419
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSC100N10NSF G, 90 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装
  
  规格：最大连续漏极电流 90 A,
• 制造商零件编号：
  BSC100N10NSFG
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-4375
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQA90N15, 90 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  规格：最大连续漏极电流 90 A,
• 制造商零件编号：
  FQA90N15
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4976
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC060N10NS3 G, 90 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装
  
  规格：最大连续漏极电流 90 A,
• 制造商零件编号：
  BSC060N10NS3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5276
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD040N03L G, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大连续漏极电流 90 A,
• 制造商零件编号：
  IPD040N03L G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5459
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDMS6673BZ, 90 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
  
  规格：最大连续漏极电流 90 A,
• 制造商零件编号：
  FDMS6673BZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9623
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH8324TR2PBF, 90 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
  
  规格：最大连续漏极电流 90 A,
• 制造商零件编号：
  IRFH8324TR2PBF
  品牌：
  International Rectifier
  库存编号：
  760-4371
  
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• Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR7440PBF, 90 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 90 A,
• 制造商零件编号：
  IRFR7440PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  776-9147
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN8R7-80BS, 90 A, Vds=80 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 90 A,
• 制造商零件编号：
  PSMN8R7-80BS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-3038
  
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• Toshiba Si N沟道 MOSFET TK40A10N1,S4X(S, 90 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  规格：最大连续漏极电流 90 A,
• 制造商零件编号：
  TK40A10N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5141
  
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• IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFN110N60P3, 90 A, Vds=600 V, 4引脚 SOT-227B封装
  
  规格：最大连续漏极电流 90 A,
• 制造商零件编号：
  IXFN110N60P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  804-7596
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SUM90N04-3m3P-E3, 90 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：最大连续漏极电流 90 A,
• 制造商零件编号：
  SUM90N04-3m3P-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-7483
  
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