规格:最大连续漏极电流 4.9 A,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Taiwan Semiconductor Si N沟道 MOSFET TSM2312CX RFG, 4.9 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大连续漏极电流 4.9 A,
制造商零件编号:
TSM2312CX RFG
品牌:
Taiwan Semiconductor
库存编号:
743-6059
搜索
ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET NTHS5443T1G, 4.9 A, Vds=20 V, 8引脚 ChipFET封装
规格:最大连续漏极电流 4.9 A,
制造商零件编号:
NTHS5443T1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-1055
搜索
Infineon 双 Si P沟道 MOSFET 晶体管 IRF7316PBF, 4.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大连续漏极电流 4.9 A,
制造商零件编号:
IRF7316PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
300-616
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NXP N沟道 MOSFET 晶体管 PMN34UN,135, 4.9 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
规格:最大连续漏极电流 4.9 A,
制造商零件编号:
PMN34UN,135
品牌:
NXP
库存编号:
725-8414
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Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDS2572, 4.9 A, Vds=150 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大连续漏极电流 4.9 A,
制造商零件编号:
FDS2572
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0475
搜索
Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF7303TRPBF, 4.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大连续漏极电流 4.9 A,
制造商零件编号:
IRF7303TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8841
搜索
Infineon HEXFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET IRF7316TRPBF, 4.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大连续漏极电流 4.9 A,
制造商零件编号:
IRF7316TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8872
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF7316QTR, 4.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大连续漏极电流 4.9 A,
制造商零件编号:
AUIRF7316QTR
品牌:
Infineon
库存编号:
907-5198
搜索
Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF7303PBF, 4.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大连续漏极电流 4.9 A,
制造商零件编号:
IRF7303PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
540-9862
搜索
DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXMN2F30FHTA, 4.9 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大连续漏极电流 4.9 A,
制造商零件编号:
ZXMN2F30FHTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
708-2535
搜索
Taiwan Semiconductor Si N沟道 MOSFET TSM2314CX RFG, 4.9 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大连续漏极电流 4.9 A,
制造商零件编号:
TSM2314CX RFG
品牌:
Taiwan Semiconductor
库存编号:
743-6061
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDC610PZ, 4.9 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-23封装
规格:最大连续漏极电流 4.9 A,
制造商零件编号:
FDC610PZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9046
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