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• ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NDD03N50Z-1G, 2.6 A, Vds=500 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.6 A,
• 制造商零件编号：
  NDD03N50Z-1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  719-2780
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDC3612, 2.6 A, Vds=100 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.6 A,
• 制造商零件编号：
  FDC3612
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9024
  
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• Fairchild Semiconductor P沟道 MOSFET 晶体管 FDFME2P823ZT, 2.6 A, Vds=20 V, 6引脚 MLP封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.6 A,
• 制造商零件编号：
  FDFME2P823ZT
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9490
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDG332PZ, 2.6 A, Vds=20 V, 6引脚 SC-70封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.6 A,
• 制造商零件编号：
  FDG332PZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3403
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDZ661PZ, 2.6 A, Vds=20 V, 4引脚 WLCSP封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.6 A,
• 制造商零件编号：
  FDZ661PZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-0723
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR210TRPBF, 2.6 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.6 A,
• 制造商零件编号：
  IRFR210TRPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-0616
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SI1469DH-T1-GE3, 2.6 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.6 A,
• 制造商零件编号：
  SI1469DH-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3081
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFU210PBF, 2.6 A, Vds=200 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.6 A,
• 制造商零件编号：
  IRFU210PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-1629
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDN306P, 2.6 A, Vds=12 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.6 A,
• 制造商零件编号：
  FDN306P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0416
  
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• Infineon SIPMOS 系列 双 Si N沟道 MOSFET BSO615N G, 2.6 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.6 A,
• 制造商零件编号：
  BSO615N G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-2797
  
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• Vishay ThunderFET 系列 Si N沟道 MOSFET SI1480DH-T1-GE3, 2.6 A, Vds=100 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.6 A,
• 制造商零件编号：
  SI1480DH-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3085
  
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• Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET HUFA75307T3ST, 2.6 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.6 A,
• 制造商零件编号：
  HUFA75307T3ST
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  862-9328
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN3067LW-7, 2.6 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-323封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.6 A,
• 制造商零件编号：
  DMN3067LW-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  921-1094
  
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• ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTF2955T1G, 2.6 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.6 A,
• 制造商零件编号：
  NTF2955T1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  103-5069
  
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• NXP N沟道 Si MOSFET BUK98150-55,135, 2.6 A, Vds=55 V, 4引脚 SC-73封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.6 A,
• 制造商零件编号：
  BUK98150-55,135
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  484-2921
  
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• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI2304BDS-T1-E3, 2.6 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.6 A,
• 制造商零件编号：
  SI2304BDS-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3244
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFL4315PBF, 2.6 A, Vds=150 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.6 A,
• 制造商零件编号：
  IRFL4315PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4007
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFL4315TRPBF, 2.6 A, Vds=150 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.6 A,
• 制造商零件编号：
  IRFL4315TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  865-5822
  
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• ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTF2955T1G, 2.6 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.6 A,
• 制造商零件编号：
  NTF2955T1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  688-9130
  
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• ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NDD03N50ZT4G, 2.6 A, Vds=500 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.6 A,
• 制造商零件编号：
  NDD03N50ZT4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  719-2783
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP318S, 2.6 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.6 A,
• 制造商零件编号：
  BSP318S
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-2816
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDME1023PZT, 2.6 A, Vds=20 V, 6引脚 MicroFET 薄型封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.6 A,
• 制造商零件编号：
  FDME1023PZT
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9572
  
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• Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRLML2246TRPBF, 2.6 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.6 A,
• 制造商零件编号：
  IRLML2246TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  760-4432
  
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