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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFL4310PBF, 2.2 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.2 A,
• 制造商零件编号：
  IRFL4310PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  540-9884
  
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• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDN337N, 2.2 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.2 A,
• 制造商零件编号：
  FDN337N
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0429
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXMN2A01FTA, 2.2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.2 A,
• 制造商零件编号：
  ZXMN2A01FTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  708-2447
  
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• STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD2N62K3, 2.2 A, Vds=620 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.2 A,
• 制造商零件编号：
  STD2N62K3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9569
  
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• STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STQ2N62K3-AP, 2.2 A, Vds=620 V TO-92封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.2 A,
• 制造商零件编号：
  STQ2N62K3-AP
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0597
  
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• STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STF2N62K3, 2.2 A, Vds=620 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.2 A,
• 制造商零件编号：
  STF2N62K3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0468
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF6216TRPBF, 2.2 A, Vds=150 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.2 A,
• 制造商零件编号：
  IRF6216TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  831-2847
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFL4310PBF, 2.2 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.2 A,
• 制造商零件编号：
  IRFL4310PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4779
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFBC20PBF, 2.2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.2 A,
• 制造商零件编号：
  IRFBC20PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9490
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP2N90, 2.2 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.2 A,
• 制造商零件编号：
  FQP2N90
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5089
  
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• Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI2301BDS-T1-E3, 2.2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.2 A,
• 制造商零件编号：
  SI2301BDS-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-4660
  
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• ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NDF02N60ZH, 2.2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.2 A,
• 制造商零件编号：
  NDF02N60ZH
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  806-0906
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDC6310P, 2.2 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.2 A,
• 制造商零件编号：
  FDC6310P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-1729
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 Si P沟道 MOSFET SQ2301ES-T1-GE3, 2.2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.2 A,
• 制造商零件编号：
  SQ2301ES-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  819-3908
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF6216PBF, 2.2 A, Vds=150 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.2 A,
• 制造商零件编号：
  IRF6216PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-3808
  
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• Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC2610, 2.2 A, Vds=200 V, 8引脚 MLP封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.2 A,
• 制造商零件编号：
  FDMC2610
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0380
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFU214PBF, 2.2 A, Vds=250 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.2 A,
• 制造商零件编号：
  IRFU214PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-4838
  
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• STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STP2N62K3, 2.2 A, Vds=620 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.2 A,
• 制造商零件编号：
  STP2N62K3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9682
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTR5198NLT1G, 2.2 A, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.2 A,
• 制造商零件编号：
  NTR5198NLT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  796-1381
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI2367DS-T1-GE3, 2.2 A, Vds=20 V, 3引脚 TO-236封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.2 A,
• 制造商零件编号：
  SI2367DS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3136
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STD4NK100Z, 2.2 A, Vds=1000 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 2.2 A,
• 制造商零件编号：
  STD4NK100Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  906-2776
  
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