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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLML2402TRPBF, 1.2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大连续漏极电流 1.2 A,
• 制造商零件编号：
  IRLML2402TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  302-016
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI2309CDS-T1-GE3, 1.2 A, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大连续漏极电流 1.2 A,
• 制造商零件编号：
  SI2309CDS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3250
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLML2060TRPBF, 1.2 A, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大连续漏极电流 1.2 A,
• 制造商零件编号：
  IRLML2060TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  725-9357
  
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• DiodesZetex IntelliFET 系列 双 N沟道 Si MOSFET ZXMS6004DT8TA, 1.2 A, Vds=60 V, 8引脚 SM封装
  
  规格：最大连续漏极电流 1.2 A,
• 制造商零件编号：
  ZXMS6004DT8TA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  738-5200
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXMN6A07FTA, 1.2 A, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大连续漏极电流 1.2 A,
• 制造商零件编号：
  ZXMN6A07FTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  155-147
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLML2803TRPBF, 1.2 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大连续漏极电流 1.2 A,
• 制造商零件编号：
  IRLML2803TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  302-022
  
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• STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 Si MOSFET STU1HN60K3, 1.2 A, Vds=600 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 1.2 A,
• 制造商零件编号：
  STU1HN60K3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  791-7949
  
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• STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 Si MOSFET STD1HN60K3, 1.2 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 1.2 A,
• 制造商零件编号：
  STD1HN60K3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  791-9289
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI1070X-T1-GE3, 1.2 A, Vds=30 V, 6引脚 SC-89封装
  
  规格：最大连续漏极电流 1.2 A,
• 制造商零件编号：
  SI1070X-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3041
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLML2803GTRPBF, 1.2 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大连续漏极电流 1.2 A,
• 制造商零件编号：
  IRLML2803GTRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  864-1019
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDG1024NZ, 1.2 A, Vds=20 V, 6引脚 SC-70封装
  
  规格：最大连续漏极电流 1.2 A,
• 制造商零件编号：
  FDG1024NZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8142
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLML2803TRPBF, 1.2 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大连续漏极电流 1.2 A,
• 制造商零件编号：
  IRLML2803TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4735
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXMN6A07FTA, 1.2 A, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大连续漏极电流 1.2 A,
• 制造商零件编号：
  ZXMN6A07FTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  922-7651
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET NDS351AN, 1.2 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大连续漏极电流 1.2 A,
• 制造商零件编号：
  NDS351AN
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-1080
  
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• ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NTJS4405NT1G, 1.2 A, Vds=25 V, 6引脚 SC-88封装
  
  规格：最大连续漏极电流 1.2 A,
• 制造商零件编号：
  NTJS4405NT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-0636
  
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• Vishay 双 P沟道 Si MOSFET Si1965DH-T1-GE3, 1.2 A, Vds=12 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  规格：最大连续漏极电流 1.2 A,
• 制造商零件编号：
  Si1965DH-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3104
  
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• Nexperia P沟道 Si MOSFET PMV160UP, 1.2 A, Vds=20 V, 3引脚 TO-236AB封装
  
  规格：最大连续漏极电流 1.2 A,
• 制造商零件编号：
  PMV160UP
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  816-6928
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP296NH6327XTSA1, 1.2 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：最大连续漏极电流 1.2 A,
• 制造商零件编号：
  BSP296NH6327XTSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9260
  
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• ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET PCP1402-TD-H, 1.2 A, Vds=250 V, 3引脚 SOT-89封装
  
  规格：最大连续漏极电流 1.2 A,
• 制造商零件编号：
  PCP1402-TD-H
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  842-7964
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLML2060TRPBF, 1.2 A, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大连续漏极电流 1.2 A,
• 制造商零件编号：
  IRLML2060TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-4058
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI2309CDS-T1-GE3, 1.2 A, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大连续漏极电流 1.2 A,
• 制造商零件编号：
  SI2309CDS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-0262
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDC8602, 1.2 A, Vds=100 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大连续漏极电流 1.2 A,
• 制造商零件编号：
  FDC8602
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  760-5851
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDG312P, 1.2 A, Vds=20 V, 6引脚 SC-70封装
  
  规格：最大连续漏极电流 1.2 A,
• 制造商零件编号：
  FDG312P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3377
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLML2402GTRPBF, 1.2 A, Vds=20 V, 3引脚 Micro6封装
  
  规格：最大连续漏极电流 1.2 A,
• 制造商零件编号：
  IRLML2402GTRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  830-3316
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLML2402TRPBF, 1.2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大连续漏极电流 1.2 A,
• 制造商零件编号：
  IRLML2402TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4731
  
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