规格:最大连续漏极电流 6.9 A,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPA90R800C3, 6.9 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大连续漏极电流 6.9 A,
制造商零件编号:
IPA90R800C3
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7149
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7473PBF, 6.9 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大连续漏极电流 6.9 A,
制造商零件编号:
IRF7473PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-2389
搜索
DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN2020LSN-7, 6.9 A, Vds=20 V, 3引脚 SC-59封装
规格:最大连续漏极电流 6.9 A,
制造商零件编号:
DMN2020LSN-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-4146
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDS4935BZ, 6.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大连续漏极电流 6.9 A,
制造商零件编号:
FDS4935BZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0536
搜索
Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDD8N50NZTM, 6.9 A, Vds=500 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大连续漏极电流 6.9 A,
制造商零件编号:
FDD8N50NZTM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-6187
查看其他仓库
Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET IPI90R800C3, 6.9 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-262封装
规格:最大连续漏极电流 6.9 A,
制造商零件编号:
IPI90R800C3
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6823
搜索
DiodesZetex 双 N沟道 Si MOSFET DMN2029USD-13, 6.9 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大连续漏极电流 6.9 A,
制造商零件编号:
DMN2029USD-13
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
827-0471
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRLTS2242TRPBF, 6.9 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
规格:最大连续漏极电流 6.9 A,
制造商零件编号:
IRLTS2242TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3401
查看其他仓库
Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET IPP90R800C3, 6.9 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大连续漏极电流 6.9 A,
制造商零件编号:
IPP90R800C3
品牌:
Infineon
库存编号:
857-7040
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