规格:最大连续漏极电流 9 A,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF630, 9 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大连续漏极电流 9 A,
制造商零件编号:
IRF630
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
486-0171
搜索
Vishay N沟道 Si MOSFET IRL630SPBF, 9 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大连续漏极电流 9 A,
制造商零件编号:
IRL630SPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
650-4441
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQB9N50CTM, 9 A, Vds=500 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大连续漏极电流 9 A,
制造商零件编号:
FQB9N50CTM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0933
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP10NK80ZFP, 9 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大连续漏极电流 9 A,
制造商零件编号:
STP10NK80ZFP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5273
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET SIS406DN-T1-GE3, 9 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
规格:最大连续漏极电流 9 A,
制造商零件编号:
SIS406DN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3418
搜索
Fairchild Semiconductor SupreMOS 系列 N沟道 Si MOSFET FCD9N60NTM, 9 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大连续漏极电流 9 A,
制造商零件编号:
FCD9N60NTM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-6128
搜索
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STF10NM65N, 9 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大连续漏极电流 9 A,
制造商零件编号:
STF10NM65N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-2732
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 N沟道 Si MOSFET FDMC86160, 9 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 33封装
规格:最大连续漏极电流 9 A,
制造商零件编号:
FDMC86160
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
774-1206
查看其他仓库
Infineon 双 P沟道 MOSFET 晶体管 IRF7324PBF, 9 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大连续漏极电流 9 A,
制造商零件编号:
IRF7324PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
784-0280
搜索
DiodesZetex N沟道 Si MOSFET DMG9N65CTI, 9 A, Vds=650 V, 3引脚 ITO-220AB封装
规格:最大连续漏极电流 9 A,
制造商零件编号:
DMG9N65CTI
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
790-4574
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS6692A, 9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大连续漏极电流 9 A,
制造商零件编号:
FDS6692A
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
805-0378
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMA7672, 9 A, Vds=30 V, 6引脚 MLP封装
规格:最大连续漏极电流 9 A,
制造商零件编号:
FDMA7672
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3472
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Vishay Si N沟道 MOSFET SIHF630STRL-GE3, 9 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大连续漏极电流 9 A,
制造商零件编号:
SIHF630STRL-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2623
搜索
Infineon HEXFET 系列 双 P沟道 Si MOSFET IRF7324TRPBF, 9 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大连续漏极电流 9 A,
制造商零件编号:
IRF7324TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8881
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRF7469PBF, 9 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大连续漏极电流 9 A,
制造商零件编号:
IRF7469PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-3865
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMA7628, 9 A, Vds=20 V, 6引脚 MLP封装
规格:最大连续漏极电流 9 A,
制造商零件编号:
FDMA7628
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8168
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ON Semiconductor N沟道 GaN MOSFET NTP8G202NG, 9 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大连续漏极电流 9 A,
制造商零件编号:
NTP8G202NG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
882-9834
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Infineon CoolMOS CP 系列 N沟道 Si MOSFET IPB60R385CP, 9 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
规格:最大连续漏极电流 9 A,
制造商零件编号:
IPB60R385CP
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7495
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP11NK40Z, 9 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大连续漏极电流 9 A,
制造商零件编号:
STP11NK40Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
485-7434
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 FDP16AN08A0, 9 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大连续漏极电流 9 A,
制造商零件编号:
FDP16AN08A0
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4796
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQA9N90C_F109, 9 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-3PN封装
规格:最大连续漏极电流 9 A,
制造商零件编号:
FQA9N90C_F109
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4985
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Fairchild Semiconductor SupreMOS 系列 N沟道 Si MOSFET FCP9N60N, 9 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大连续漏极电流 9 A,
制造商零件编号:
FCP9N60N
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-6159
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 四 Si N沟道 MOSFET FDMQ8403, 9 A, Vds=100 V, 12引脚 MLP封装
规格:最大连续漏极电流 9 A,
制造商零件编号:
FDMQ8403
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
760-5905
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STP10NM65N, 9 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大连续漏极电流 9 A,
制造商零件编号:
STP10NM65N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9976
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD3055-150T4G, 9 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大连续漏极电流 9 A,
制造商零件编号:
NTD3055-150T4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-1011
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