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• ON Semiconductor P沟道 MOSFET 晶体管 NTLJS3113PT1G, 7.7 A, Vds=20 V, 6引脚 WDFN封装
  
  规格：最大连续漏极电流 7.7 A,
• 制造商零件编号：
  NTLJS3113PT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-0661
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR120PBF, 7.7 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 7.7 A,
• 制造商零件编号：
  IRFR120PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-4812
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRLR014TRPBF, 7.7 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大连续漏极电流 7.7 A,
• 制造商零件编号：
  IRLR014TRPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  813-0718
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SIHLR120TR-GE3, 7.7 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大连续漏极电流 7.7 A,
• 制造商零件编号：
  SIHLR120TR-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  813-0720
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRLR014PBF, 7.7 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 7.7 A,
• 制造商零件编号：
  IRLR014PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  543-1689
  
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• ON Semiconductor P沟道 MOSFET 晶体管 NTLJS2103PTBG, 7.7 A, Vds=12 V, 6引脚 WDFN封装
  
  规格：最大连续漏极电流 7.7 A,
• 制造商零件编号：
  NTLJS2103PTBG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-0652
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR014TRPBF, 7.7 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 7.7 A,
• 制造商零件编号：
  IRFR014TRPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2761
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 双 Si N沟道 MOSFET BSO220N03MDG, 7.7 A, Vds=30 V, 8引脚 DSO封装
  
  规格：最大连续漏极电流 7.7 A,
• 制造商零件编号：
  BSO220N03MDG
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8942
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFU014PBF, 7.7 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 7.7 A,
• 制造商零件编号：
  IRFU014PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-1590
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRFI9530GPBF, 7.7 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大连续漏极电流 7.7 A,
• 制造商零件编号：
  IRFI9530GPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9721
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR014PBF, 7.7 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 7.7 A,
• 制造商零件编号：
  IRFR014PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  543-1667
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRLU014PBF, 7.7 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 7.7 A,
• 制造商零件编号：
  IRLU014PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  543-1702
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXMN10A09KTC, 7.7 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大连续漏极电流 7.7 A,
• 制造商零件编号：
  ZXMN10A09KTC
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  824-5472
  
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