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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR7821PBF, 65 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 65 A,
• 制造商零件编号：
  IRLR7821PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-2301
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP65N06, 65 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大连续漏极电流 65 A,
• 制造商零件编号：
  FQP65N06
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5159
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRLR8721PBF, 65 A, Vds=30 V, 3引脚 D-PAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 65 A,
• 制造商零件编号：
  IRLR8721PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7241
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK65A10N1,S4X(S, 65 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  规格：最大连续漏极电流 65 A,
• 制造商零件编号：
  TK65A10N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6258
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK65E10N1,S1X(S, 65 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大连续漏极电流 65 A,
• 制造商零件编号：
  TK65E10N1,S1X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2414
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4227PBF, 65 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大连续漏极电流 65 A,
• 制造商零件编号：
  IRFB4227PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3932
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP4227PBF, 65 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：最大连续漏极电流 65 A,
• 制造商零件编号：
  IRFP4227PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3972
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP4227PBF, 65 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：最大连续漏极电流 65 A,
• 制造商零件编号：
  IRFP4227PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-4772
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STW62NM60N, 65 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大连续漏极电流 65 A,
• 制造商零件编号：
  STW62NM60N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-2918
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SUM65N20-30-E3, 65 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：最大连续漏极电流 65 A,
• 制造商零件编号：
  SUM65N20-30-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-7489
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17507Q5A, 65 A, Vds=30 V, 8引脚 SON封装
  
  规格：最大连续漏极电流 65 A,
• 制造商零件编号：
  CSD17507Q5A
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4855
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK65E10N1,S1X(S, 65 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大连续漏极电流 65 A,
• 制造商零件编号：
  TK65E10N1,S1X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6252
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDP65N06, 65 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大连续漏极电流 65 A,
• 制造商零件编号：
  FDP65N06
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3567
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4227PBF, 65 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大连续漏极电流 65 A,
• 制造商零件编号：
  IRFB4227PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-4277
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQA65N20, 65 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  规格：最大连续漏极电流 65 A,
• 制造商零件编号：
  FQA65N20
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4950
  
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• STMicroelectronics STripFET V 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STL65N3LLH5, 65 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerFLAT封装
  
  规格：最大连续漏极电流 65 A,
• 制造商零件编号：
  STL65N3LLH5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-2880
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK65A10N1,S4X(S, 65 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  规格：最大连续漏极电流 65 A,
• 制造商零件编号：
  TK65A10N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2410
  
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