规格:最大集电极-发射极电压 1350 V,
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ON Semiconductor NGTB40N135IHRWG N沟道 IGBT, 80 A, Vce=1350 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
规格:最大集电极-发射极电压 1350 V,
制造商零件编号:
NGTB40N135IHRWG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
796-1362
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ON Semiconductor NGTB20N135IHRWG N沟道 IGBT, 40 A, Vce=1350 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
规格:最大集电极-发射极电压 1350 V,
制造商零件编号:
NGTB20N135IHRWG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
796-1334
搜索
ON Semiconductor NGTB30N135IHRWG N沟道 IGBT, 60 A, Vce=1350 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
规格:最大集电极-发射极电压 1350 V,
制造商零件编号:
NGTB30N135IHRWG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
796-1343
搜索
Toshiba GT40RR21 N沟道 IGBT, 40 A, Vce=1350 V, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装
规格:最大集电极-发射极电压 1350 V,
制造商零件编号:
GT40RR21
品牌:
Toshiba
库存编号:
796-5052
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Infineon IHW30N135R3 N沟道 IGBT, 30 A, Vce=1350 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大集电极-发射极电压 1350 V,
制造商零件编号:
IHW30N135R3
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7449
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