规格:最大集电极-发射极饱和电压 0.1 V,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Toshiba 2SC3326-B(F) , NPN 晶体管, 300 mA, Vce=20 V, HFE:350, 30 MHz, 3引脚 SC-59封装
规格:最大集电极-发射极饱和电压 0.1 V,
制造商零件编号:
2SC3326-B(F)
品牌:
Toshiba
库存编号:
601-1630
查看其他仓库
Analog Devices SSM2220PZ, 双 PNP 晶体管, 20 mA, Vce=36 V, HFE:60, 8引脚 PDIP封装
规格:最大集电极-发射极饱和电压 0.1 V,
制造商零件编号:
SSM2220PZ
品牌:
Analog Devices
库存编号:
522-8809
搜索
Analog Devices MAT03FHZ, 双 PNP 晶体管, 20 mA, Vce=36 V, HFE:60, 6引脚 TO-78封装
规格:最大集电极-发射极饱和电压 0.1 V,
制造商零件编号:
MAT03FHZ
品牌:
Analog Devices
库存编号:
709-8521
搜索
Analog Devices SSM2220SZ, 双 PNP 晶体管, 20 mA, Vce=36 V, HFE:60, 8引脚 SOIC封装
规格:最大集电极-发射极饱和电压 0.1 V,
制造商零件编号:
SSM2220SZ
品牌:
Analog Devices
库存编号:
709-8580
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Toshiba 2SC3326-A(TE85L,F) , NPN 晶体管, 300 mA, Vce=20 V, HFE:200, 3引脚 SC-59封装
规格:最大集电极-发射极饱和电压 0.1 V,
制造商零件编号:
2SC3326-A(TE85L,F)
品牌:
Toshiba
库存编号:
890-2642
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Toshiba 2SC4213-A(TE85L,F) , NPN 晶体管, 300 mA, Vce=20 V, HFE:200, 3引脚 SC-70封装
规格:最大集电极-发射极饱和电压 0.1 V,
制造商零件编号:
2SC4213-A(TE85L,F)
品牌:
Toshiba
库存编号:
890-2660
搜索
Toshiba 2SC4213-B(TE85L,F) , NPN 晶体管, 300 mA, Vce=20 V, HFE:200, 3引脚 SC-70封装
规格:最大集电极-发射极饱和电压 0.1 V,
制造商零件编号:
2SC4213-B(TE85L,F)
品牌:
Toshiba
库存编号:
890-2664
查看其他仓库
Analog Devices MAT03FHZ, 双 PNP 晶体管, 20 mA, Vce=36 V, HFE:60, 6引脚 TO-78封装
规格:最大集电极-发射极饱和电压 0.1 V,
制造商零件编号:
MAT03FHZ
品牌:
Analog Devices
库存编号:
912-9567
搜索
Analog Devices MAT03EHZ, 双 PNP 晶体管, 20 mA, Vce=36 V, HFE:100, 10 kHz, 6引脚 TO-78封装
规格:最大集电极-发射极饱和电压 0.1 V,
制造商零件编号:
MAT03EHZ
品牌:
Analog Devices
库存编号:
820-8993
查看其他仓库
Toshiba 2SC3138-Y(TE85L,F) , NPN 双极晶体管, 50 mA, Vce=200 V, HFE:70, 3引脚 SC-59封装
规格:最大集电极-发射极饱和电压 0.1 V,
制造商零件编号:
2SC3138-Y(TE85L,F)
品牌:
Toshiba
库存编号:
890-2632
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NXP PDTA114YU PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:0.21,1, 3引脚 UMT封装
规格:最大集电极-发射极饱和电压 0.1 V,
制造商零件编号:
PDTA114YU
品牌:
Nexperia
库存编号:
518-2258
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NXP PDTC123JT,215 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:0.047, 3引脚 TO-236AB封装
规格:最大集电极-发射极饱和电压 0.1 V,
制造商零件编号:
PDTC123JT,215
品牌:
Nexperia
库存编号:
518-2905
搜索
NXP PEMH13 双 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:0.1, 6引脚 SSMini封装
规格:最大集电极-发射极饱和电压 0.1 V,
制造商零件编号:
PEMH13
品牌:
Nexperia
库存编号:
518-3447
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NXP PUMB10 双 PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:0.047, 6引脚 UMT封装
规格:最大集电极-发射极饱和电压 0.1 V,
制造商零件编号:
PUMB10
品牌:
Nexperia
库存编号:
518-3548
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NXP PUMH9,115 双 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:0.21,1, 6引脚 UMT封装
规格:最大集电极-发射极饱和电压 0.1 V,
制造商零件编号:
PUMH9,115
品牌:
Nexperia
库存编号:
518-3986
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NXP PDTC123JE,115 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:0.047, 3引脚 SOT-416封装
规格:最大集电极-发射极饱和电压 0.1 V,
制造商零件编号:
PDTC123JE,115
品牌:
NXP
库存编号:
725-8492
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NXP PDTC143ZT NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:0.1, 3引脚 TO-236AB封装
规格:最大集电极-发射极饱和电压 0.1 V,
制造商零件编号:
PDTC143ZT
品牌:
Nexperia
库存编号:
484-3485
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NXP PDTC114YU NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:0.21,1, 3引脚 UMT封装
规格:最大集电极-发射极饱和电压 0.1 V,
制造商零件编号:
PDTC114YU
品牌:
Nexperia
库存编号:
518-2781
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NXP PDTC143XT NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:0.47, 3引脚 TO-236AB封装
规格:最大集电极-发射极饱和电压 0.1 V,
制造商零件编号:
PDTC143XT
品牌:
Nexperia
库存编号:
518-3087
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NXP PUMB13 双 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:0.1, 6引脚 UMT封装
规格:最大集电极-发射极饱和电压 0.1 V,
制造商零件编号:
PUMB13
品牌:
Nexperia
库存编号:
518-3560
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NXP PUMD10 双 NPN,PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:0.047, 6引脚 UMT封装
规格:最大集电极-发射极饱和电压 0.1 V,
制造商零件编号:
PUMD10
品牌:
Nexperia
库存编号:
518-3683
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NXP PDTA143ZT,215 PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:0.1, 3引脚 TO-236AB封装
规格:最大集电极-发射极饱和电压 0.1 V,
制造商零件编号:
PDTA143ZT,215
品牌:
Nexperia
库存编号:
518-2573
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NXP PDTC143TU NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:无, 3引脚 UMT封装
规格:最大集电极-发射极饱和电压 0.1 V,
制造商零件编号:
PDTC143TU
品牌:
Nexperia
库存编号:
518-3065
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NXP PDTC143ZU NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:0.1, 3引脚 UMT封装
规格:最大集电极-发射极饱和电压 0.1 V,
制造商零件编号:
PDTC143ZU
品牌:
Nexperia
库存编号:
518-3122
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NXP PUMD13 双 NPN,PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:0.1, 6引脚 SOT-363封装
规格:最大集电极-发射极饱和电压 0.1 V,
制造商零件编号:
PUMD13
品牌:
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