规格:最大集电极-发射极饱和电压 1.6 V,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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ON Semiconductor PZT2907AT1G , PNP 晶体管, 600 mA, Vce=60 V, HFE:50, 200 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
规格:最大集电极-发射极饱和电压 1.6 V,
制造商零件编号:
PZT2907AT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
464-160
搜索
Fairchild Semiconductor FFB2907A, 双 PNP 晶体管, 600 mA, Vce=60 V, HFE:300, 100 MHz, 6引脚 SC-70封装
规格:最大集电极-发射极饱和电压 1.6 V,
制造商零件编号:
FFB2907A
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9207
查看其他仓库
ON Semiconductor MMBT2907ALT1G , PNP 双极晶体管, 600 mA, Vce=60 V, HFE:50, 200 MHz, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大集电极-发射极饱和电压 1.6 V,
制造商零件编号:
MMBT2907ALT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
103-2934
查看其他仓库
Nexperia PZT2907A , PNP 晶体管, 600 mA, Vce=60 V, HFE:50, 200 MHz, 4引脚 SC-73封装
规格:最大集电极-发射极饱和电压 1.6 V,
制造商零件编号:
PZT2907A
品牌:
Nexperia
库存编号:
112-5475
搜索
Nexperia PMST2907A,115 , PNP 晶体管, 600 mA, Vce=60 V, HFE:50, 200 MHz, 3引脚 UMT封装
规格:最大集电极-发射极饱和电压 1.6 V,
制造商零件编号:
PMST2907A,115
品牌:
Nexperia
库存编号:
504-5862
搜索
ON Semiconductor MMBT2907ALT1G , PNP 双极晶体管, 600 mA, Vce=60 V, HFE:50, 200 MHz, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大集电极-发射极饱和电压 1.6 V,
制造商零件编号:
MMBT2907ALT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
544-9438
搜索
Fairchild Semiconductor PN2907ATA , PNP 晶体管, 800mA, Vce=60 V, HFE:50, 3引脚 TO-92封装
规格:最大集电极-发射极饱和电压 1.6 V,
制造商零件编号:
PN2907ATA
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-0492
搜索
Nexperia PMBT2222 , NPN 晶体管, 600 mA, Vce=30 V, HFE:30, 250 MHz, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大集电极-发射极饱和电压 1.6 V,
制造商零件编号:
PMBT2222
品牌:
Nexperia
库存编号:
816-6795
搜索
Texas Instruments ULN2002AN NPN 达林顿晶体管对, 0.5 A, Vce=50 V, 16引脚 PDIP封装
规格:最大集电极-发射极饱和电压 1.6 V,
制造商零件编号:
ULN2002AN
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
652-819
搜索
Texas Instruments ULN2003AN NPN 达林顿晶体管对, 0.5 A, Vce=50 V, 16引脚 PDIP封装
规格:最大集电极-发射极饱和电压 1.6 V,
制造商零件编号:
ULN2003AN
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
100-3837
搜索
ON Semiconductor MC1413DG NPN 达林顿晶体管对, 0.5 A, Vce=50 V, HFE=1000, 16引脚 SOIC封装
规格:最大集电极-发射极饱和电压 1.6 V,
制造商零件编号:
MC1413DG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
516-4979
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ON Semiconductor BU323ZG NPN 达林顿晶体管对, 10 A, Vce=350 V, HFE=150, 3引脚 SOT-93封装
规格:最大集电极-发射极饱和电压 1.6 V,
制造商零件编号:
BU323ZG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
545-0157
搜索
Texas Instruments ULN2003ADR NPN 达林顿晶体管对, 0.5 A, Vce=50 V, 16引脚 SOIC封装
规格:最大集电极-发射极饱和电压 1.6 V,
制造商零件编号:
ULN2003ADR
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
665-8699
搜索
Texas Instruments SN75469D NPN 达林顿晶体管对, 0.5 A, Vce=100 V, 16引脚 SOIC封装
规格:最大集电极-发射极饱和电压 1.6 V,
制造商零件编号:
SN75469D
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
665-8790
搜索
Texas Instruments ULN2004AID NPN 达林顿晶体管对, 0.5 A, Vce=50 V, 16引脚 SOIC封装
规格:最大集电极-发射极饱和电压 1.6 V,
制造商零件编号:
ULN2004AID
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
665-9194
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Texas Instruments ULQ2003AD NPN 达林顿晶体管对, 0.5 A, Vce=50 V, 16引脚 SOIC封装
规格:最大集电极-发射极饱和电压 1.6 V,
制造商零件编号:
ULQ2003AD
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
665-9204
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STMicroelectronics ULQ2003D1013TR NPN 达林顿晶体管对, 0.5 A, Vce=50 V, 16引脚 SOIC封装
规格:最大集电极-发射极饱和电压 1.6 V,
制造商零件编号:
ULQ2003D1013TR
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
686-8133
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STMicroelectronics ULQ2004D1013TR NPN 达林顿晶体管对, 0.5 A, Vce=50 V, 16引脚 SOIC封装
规格:最大集电极-发射极饱和电压 1.6 V,
制造商零件编号:
ULQ2004D1013TR
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
686-8136
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STMicroelectronics ULN2004D1013TR NPN 达林顿晶体管对, 0.5 A, Vce=50 V, HFE=1000, 16引脚 SOIC封装
规格:最大集电极-发射极饱和电压 1.6 V,
制造商零件编号:
ULN2004D1013TR
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
686-8161
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STMicroelectronics ULQ2802A NPN 达林顿晶体管对, 0.5 A, Vce=50 V, HFE=1000, 18引脚 PDIP封装
规格:最大集电极-发射极饱和电压 1.6 V,
制造商零件编号:
ULQ2802A
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
686-8180
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STMicroelectronics ULN2002A NPN 达林顿晶体管对, 0.5 A, Vce=50 V, HFE=1000, 16引脚 PDIP封装
规格:最大集电极-发射极饱和电压 1.6 V,
制造商零件编号:
ULN2002A
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
686-8206
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ON Semiconductor MC1413BDG NPN 达林顿晶体管对, 0.5 A, Vce=50 V, HFE=1000, 16引脚 SOIC封装
规格:最大集电极-发射极饱和电压 1.6 V,
制造商零件编号:
MC1413BDG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
688-9408
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ON Semiconductor NCV1413BDR2G NPN 达林顿晶体管对, 0.5 A, Vce=50 V, HFE=1000, 16引脚 SOIC封装
规格:最大集电极-发射极饱和电压 1.6 V,
制造商零件编号:
NCV1413BDR2G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
688-9411
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Texas Instruments DS2003CM/NOPB NPN 达林顿晶体管对, 0.5 A, Vce=50 V, 16引脚 PDIP封装
规格:最大集电极-发射极饱和电压 1.6 V,
制造商零件编号:
DS2003CM/NOPB
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
761-5362
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ON Semiconductor MC1413BDR2G NPN 达林顿晶体管对, 500 mA, Vce=50 V, HFE=1000, 16引脚 SOIC封装
规格:最大集电极-发射极饱和电压 1.6 V,
制造商零件编号:
MC1413BDR2G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
773-7743
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