规格:最大基极-发射极饱和电压 2.6 V,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
ON Semiconductor PZT2907AT1G , PNP 晶体管, 600 mA, Vce=60 V, HFE:50, 200 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
规格:最大基极-发射极饱和电压 2.6 V,
制造商零件编号:
PZT2907AT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
464-160
搜索
Fairchild Semiconductor FFB2907A, 双 PNP 晶体管, 600 mA, Vce=60 V, HFE:300, 100 MHz, 6引脚 SC-70封装
规格:最大基极-发射极饱和电压 2.6 V,
制造商零件编号:
FFB2907A
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9207
查看其他仓库
ON Semiconductor MMBT2907ALT1G , PNP 双极晶体管, 600 mA, Vce=60 V, HFE:50, 200 MHz, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大基极-发射极饱和电压 2.6 V,
制造商零件编号:
MMBT2907ALT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
103-2934
查看其他仓库
Nexperia PZT2907A , PNP 晶体管, 600 mA, Vce=60 V, HFE:50, 200 MHz, 4引脚 SC-73封装
规格:最大基极-发射极饱和电压 2.6 V,
制造商零件编号:
PZT2907A
品牌:
Nexperia
库存编号:
112-5475
搜索
Nexperia PMST2907A,115 , PNP 晶体管, 600 mA, Vce=60 V, HFE:50, 200 MHz, 3引脚 UMT封装
规格:最大基极-发射极饱和电压 2.6 V,
制造商零件编号:
PMST2907A,115
品牌:
Nexperia
库存编号:
504-5862
搜索
ON Semiconductor MMBT2907ALT1G , PNP 双极晶体管, 600 mA, Vce=60 V, HFE:50, 200 MHz, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大基极-发射极饱和电压 2.6 V,
制造商零件编号:
MMBT2907ALT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
544-9438
搜索
Fairchild Semiconductor PN2907ATA , PNP 晶体管, 800mA, Vce=60 V, HFE:50, 3引脚 TO-92封装
规格:最大基极-发射极饱和电压 2.6 V,
制造商零件编号:
PN2907ATA
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-0492
搜索
Nexperia PMBT2222 , NPN 晶体管, 600 mA, Vce=30 V, HFE:30, 250 MHz, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大基极-发射极饱和电压 2.6 V,
制造商零件编号:
PMBT2222
品牌:
Nexperia
库存编号:
816-6795
搜索
Fairchild Semiconductor BSR16 , PNP 晶体管, 800mA, Vce=60 V, HFE:50, 200 MHz, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大基极-发射极饱和电压 2.6 V,
制造商零件编号:
BSR16
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-1138
搜索
Fairchild Semiconductor MMBT2907A , PNP 晶体管, 800mA, Vce=60 V, HFE:50, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大基极-发射极饱和电压 2.6 V,
制造商零件编号:
MMBT2907A
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-0410
搜索
Infineon SMBT2907AE6327 , PNP 双极晶体管, 600 mA, Vce=60 V, HFE:100, 200(最小)MHz, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大基极-发射极饱和电压 2.6 V,
制造商零件编号:
SMBT2907AE6327
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9926
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