规格:最大基极-发射极饱和电压 1.3 V,
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NXP PBSS5540Z,115 , PNP 晶体管, 5 A, Vce=40 V, HFE:50, 120 MHz, 4引脚 SC-73封装
规格:最大基极-发射极饱和电压 1.3 V,
制造商零件编号:
PBSS5540Z,115
品牌:
Nexperia
库存编号:
518-2034
搜索
ON Semiconductor MMBT4403LT1G , PNP 晶体管, 600 mA, Vce=40 V, HFE:20, 200 MHz, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大基极-发射极饱和电压 1.3 V,
制造商零件编号:
MMBT4403LT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
545-0387
搜索
Fairchild Semiconductor 2N4403TA , PNP 晶体管, 600 mA, Vce=40 V, HFE:20, 3引脚 TO-92封装
规格:最大基极-发射极饱和电压 1.3 V,
制造商零件编号:
2N4403TA
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-0445
搜索
ON Semiconductor 2N4920G , PNP 晶体管, 1 A, Vce=80 V, HFE:10, 1 MHz, 3引脚 TO-225封装
规格:最大基极-发射极饱和电压 1.3 V,
制造商零件编号:
2N4920G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
774-3408
搜索
Nexperia PBSS4041NT , NPN 晶体管, 3.8 A, Vce=60 V, HFE:30, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大基极-发射极饱和电压 1.3 V,
制造商零件编号:
PBSS4041NT
品牌:
Nexperia
库存编号:
801-5619
搜索
NXP BUJ303AX , NPN 晶体管, 5 A, Vce=500 V, HFE:10, 1 MHz, 3引脚 TO-220F封装
规格:最大基极-发射极饱和电压 1.3 V,
制造商零件编号:
BUJ303AX
品牌:
NXP
库存编号:
813-6712
查看其他仓库
DiodesZetex APT13005TF-G1 , NPN 高压双极晶体管, 4 A, Vce=700 V, HFE:8, 4(最低)MHz, 3引脚 TO-220F封装
规格:最大基极-发射极饱和电压 1.3 V,
制造商零件编号:
APT13005TF-G1
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
828-3339
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Nexperia PMBT4403 , PNP 晶体管, 600 mA, Vce=40 V, HFE:20, 200 MHz, 3引脚 TO-236AB封装
规格:最大基极-发射极饱和电压 1.3 V,
制造商零件编号:
PMBT4403
品牌:
Nexperia
库存编号:
509-942
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Infineon BDP949 , NPN 晶体管, 3 A, Vce=60 V, HFE:25, 100 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
规格:最大基极-发射极饱和电压 1.3 V,
制造商零件编号:
BDP949
品牌:
Infineon
库存编号:
445-2146
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Taiwan Semiconductor TS13003BCT A3G , NPN 晶体管, 1.5 A, Vce=400 V, HFE:6, 4 MHz, 3引脚 TO-92封装
规格:最大基极-发射极饱和电压 1.3 V,
制造商零件编号:
TS13003BCT A3G
品牌:
Taiwan Semiconductor
库存编号:
398-512
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Infineon BDP 953 H6327 , NPN 晶体管, 3 A, Vce=100 V, HFE:15, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
规格:最大基极-发射极饱和电压 1.3 V,
制造商零件编号:
BDP 953 H6327
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7136
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Infineon BDP 948 H6327 , PNP 晶体管, 3 A, Vce=45 V, HFE:15, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
规格:最大基极-发射极饱和电压 1.3 V,
制造商零件编号:
BDP 948 H6327
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7482
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Infineon BDP 950 H6327 , PNP 晶体管, 3 A, Vce=60 V, HFE:15, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
规格:最大基极-发射极饱和电压 1.3 V,
制造商零件编号:
BDP 950 H6327
品牌:
Infineon
库存编号:
110-9096
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ON Semiconductor 2N4923G , NPN 晶体管, 1 A, Vce=80 V, HFE:10, 3 MHz, 3引脚 TO-225封装
规格:最大基极-发射极饱和电压 1.3 V,
制造商零件编号:
2N4923G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
544-9933
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STMicroelectronics BUL128D-B , NPN 晶体管, 4 A, Vce=400 V, HFE:10, 3引脚 TO-220封装
规格:最大基极-发射极饱和电压 1.3 V,
制造商零件编号:
BUL128D-B
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
686-8048
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NXP PBSS4540Z,115 , NPN 晶体管, 5 A, Vce=40 V, HFE:100, 130 MHz, 4引脚 SC-73封装
规格:最大基极-发射极饱和电压 1.3 V,
制造商零件编号:
PBSS4540Z,115
品牌:
Nexperia
库存编号:
518-1738
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Fairchild Semiconductor BUT11ATU , NPN 晶体管, 5 A, Vce=450 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大基极-发射极饱和电压 1.3 V,
制造商零件编号:
BUT11ATU
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-5226
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Nexperia BST39TA , NPN 晶体管, 500 mA, Vce=350 V, HFE:40, 70 MHz, 3引脚 SOT-89封装
规格:最大基极-发射极饱和电压 1.3 V,
制造商零件编号:
BST39TA
品牌:
Nexperia
库存编号:
669-7720
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STMicroelectronics 2STN2540 , PNP 晶体管, 5 A, Vce=40 V, HFE:50, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
规格:最大基极-发射极饱和电压 1.3 V,
制造商零件编号:
2STN2540
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
686-7991
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Fairchild Semiconductor MMBT4403 , PNP 晶体管, 600 mA, Vce=40 V, HFE:20, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大基极-发射极饱和电压 1.3 V,
制造商零件编号:
MMBT4403
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-0509
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Infineon BDP948 , PNP 双极晶体管, 3 A, Vce=45 V, HFE:475, 100 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
规格:最大基极-发射极饱和电压 1.3 V,
制造商零件编号:
BDP948
品牌:
Infineon
库存编号:
823-5699
查看其他仓库
ON Semiconductor MJ802G , NPN 晶体管, 30 A, Vce=90 V, HFE:25, 2引脚 TO-204AA封装
规格:最大基极-发射极饱和电压 1.3 V,
制造商零件编号:
MJ802G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
862-4972
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Infineon BDP 954 , PNP 晶体管, 3 A, Vce=100 V, HFE:15, 100 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
规格:最大基极-发射极饱和电压 1.3 V,
制造商零件编号:
BDP 954
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8126
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Fairchild Semiconductor FFB2227A, 双 NPN,PNP 晶体管, 500 mA, Vce=30 V, HFE:100, 100 MHz, 6引脚 SC-70封装
规格:最大基极-发射极饱和电压 1.3 V,
制造商零件编号:
FFB2227A
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9204
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ON Semiconductor 2N4921G , NPN 双极晶体管, 1 A, Vce=40 V, HFE:10, 1 MHz, 3引脚 TO-225封装
规格:最大基极-发射极饱和电压 1.3 V,
制造商零件编号:
2N4921G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
774-3417
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