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• Fairchild Semiconductor FGA50N100BNTDTU N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1000 V, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装
  
  规格：最大功率耗散 63 W,
• 制造商零件编号：
  FGA50N100BNTDTU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-0751
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFI3205PBF, 64 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 63 W,
• 制造商零件编号：
  IRFI3205PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  542-9608
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR8256PBF, 81 A, Vds=25 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大功率耗散 63 W,
• 制造商零件编号：
  IRLR8256PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7238
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET SPP04N80C3, 4 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 63 W,
• 制造商零件编号：
  SPP04N80C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3197
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ160N10NS3 G, 40 A, Vds=100 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  规格：最大功率耗散 63 W,
• 制造商零件编号：
  BSZ160N10NS3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5373
  
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• Fairchild Semiconductor P沟道 Si MOSFET FQB1P50TM, 1.5 A, Vds=500 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 63 W,
• 制造商零件编号：
  FQB1P50TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9333
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STFW3N150, 2.5 A, Vds=1500 V, 3引脚 TO-3PF封装
  
  规格：最大功率耗散 63 W,
• 制造商零件编号：
  STFW3N150
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0493
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STFW4N150, 4 A, Vds=1500 V, 3引脚 TO-3PF封装
  
  规格：最大功率耗散 63 W,
• 制造商零件编号：
  STFW4N150
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0503
  
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• Toshiba TPH 系列 Si N沟道 MOSFET TPH4R606NH, 85 A, Vds=60 V, 8引脚 SOP 高级封装
  
  规格：最大功率耗散 63 W,
• 制造商零件编号：
  TPH4R606NH
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  796-5140
  
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• Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPD65R600E6, 7.3 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大功率耗散 63 W,
• 制造商零件编号：
  IPD65R600E6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  823-5591
  
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• Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPB60R600C6, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：最大功率耗散 63 W,
• 制造商零件编号：
  IPB60R600C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9049
  
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• Infineon CoolMOS P6 系列 N沟道 Si MOSFET IPD60R600P6, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大功率耗散 63 W,
• 制造商零件编号：
  IPD60R600P6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7298
  
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• Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPD60R600E6, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大功率耗散 63 W,
• 制造商零件编号：
  IPD60R600E6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7330
  
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• Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPP65R600E6, 7.3 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 63 W,
• 制造商零件编号：
  IPP65R600E6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7608
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR6225PBF, 100 A, Vds=20 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大功率耗散 63 W,
• 制造商零件编号：
  IRLR6225PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7293
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLI2910PBF, 31 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大功率耗散 63 W,
• 制造商零件编号：
  IRLI2910PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  864-1000
  
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• Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPA65R600C6, 7.3 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大功率耗散 63 W,
• 制造商零件编号：
  IPA65R600C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7156
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPD04N80C3, 4 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大功率耗散 63 W,
• 制造商零件编号：
  SPD04N80C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3172
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD390N15A, 26 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大功率耗散 63 W,
• 制造商零件编号：
  FDD390N15A
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  760-5860
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD6670A, 66 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大功率耗散 63 W,
• 制造商零件编号：
  FDD6670A
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  809-0907
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 Si N沟道 MOSFET STFW40N60M2, 34 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-3PF封装
  
  规格：最大功率耗散 63 W,
• 制造商零件编号：
  STFW40N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  876-5651
  
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• Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R600C6, 7.3 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 63 W,
• 制造商零件编号：
  IPP60R600C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2260
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRLI2505, 58 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大功率耗散 63 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRLI2505
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5034
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR6225TRPBF, 100 A, Vds=20 V, 3针+焊片 DPAK封装
  
  规格：最大功率耗散 63 W,
• 制造商零件编号：
  IRLR6225TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  915-5102
  
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• Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPD80R1K4CE, 3.9 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大功率耗散 63 W,
• 制造商零件编号：
  IPD80R1K4CE
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7159
  
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