规格:最大功率耗散 625 W,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Infineon FF150R12YT3 N通道 IGBT 模块, 串行, 200 A, Vce=1200 V, 9引脚 EASY2封装
规格:最大功率耗散 625 W,
制造商零件编号:
FF150R12YT3
品牌:
Infineon
库存编号:
838-7043
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IXYS MMIX1X200N60B3 N沟道 IGBT, 223 A, Vce=600 V, 10 → 30kHz, 24引脚 SMPD封装
规格:最大功率耗散 625 W,
制造商零件编号:
MMIX1X200N60B3
品牌:
IXYS
库存编号:
875-2484
搜索
IXYS IXYH50N120C3D1 N沟道 IGBT, 90 A, Vce=1200 V, 50kHz, 3引脚 TO-247封装
规格:最大功率耗散 625 W,
制造商零件编号:
IXYH50N120C3D1
品牌:
IXYS
库存编号:
920-1007
搜索
Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDH45N50F_F133, 45 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大功率耗散 625 W,
制造商零件编号:
FDH45N50F_F133
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8152
搜索
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STY145N65M5, 138 A, Vds=650 V, 3引脚 Max247封装
规格:最大功率耗散 625 W,
制造商零件编号:
STY145N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
880-5474
搜索
STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STY112N65M5, 96 A, Vds=650 V, 3引脚 Max247封装
规格:最大功率耗散 625 W,
制造商零件编号:
STY112N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0648
搜索
IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFN48N60P, 40 A, Vds=600 V, 4引脚 SOT-227B封装
规格:最大功率耗散 625 W,
制造商零件编号:
IXFN48N60P
品牌:
IXYS
库存编号:
920-0767
搜索
Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDA50N50, 48 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-3P封装
规格:最大功率耗散 625 W,
制造商零件编号:
FDA50N50
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4770
搜索
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STY100NM60N, 98 A, Vds=650 V, 3引脚 Max247封装
规格:最大功率耗散 625 W,
制造商零件编号:
STY100NM60N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
783-2927
搜索
IXYS IXYH50N120C3D1 N沟道 IGBT, 90 A, Vce=1200 V, 50kHz, 3引脚 TO-247封装
规格:最大功率耗散 625 W,
制造商零件编号:
IXYH50N120C3D1
品牌:
IXYS
库存编号:
808-0281
查看其他仓库
STMicroelectronics Si N沟道 MOSFET STAC3932B, 20 A, Vds=250 V, 4引脚 STAC244B封装
规格:最大功率耗散 625 W,
制造商零件编号:
STAC3932B
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
829-0668
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STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET STY139N65M5, 130 A, Vds=710 V, 3引脚 Max247封装
规格:最大功率耗散 625 W,
制造商零件编号:
STY139N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-8815
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