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• Infineon FS10R06VE3_B2 N通道 IGBT 模块, 共集电极, 16 A, Vce=600 V, 15引脚 EASY750封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 50 W,
• 制造商零件编号：
  FS10R06VE3_B2
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  838-6939
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC050N03MS G, 80 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 50 W,
• 制造商零件编号：
  BSC050N03MS G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5263
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ110N06NS3 G, 20 A, Vds=60 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 50 W,
• 制造商零件编号：
  BSZ110N06NS3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  823-5724
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 N沟道 Si MOSFET IPD50N06S4L-12, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 50 W,
• 制造商零件编号：
  IPD50N06S4L-12
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9061
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC110N06NS3G, 50 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 50 W,
• 制造商零件编号：
  BSC110N06NS3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5303
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3707ZPBF, 56 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 50 W,
• 制造商零件编号：
  IRFR3707ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-4993
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPB04N60C3, 4.5 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 50 W,
• 制造商零件编号：
  SPB04N60C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8479
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 BSC050N03LS G, 80 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 50 W,
• 制造商零件编号：
  BSC050N03LS G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5254
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC100N06LS3 G, 50 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 50 W,
• 制造商零件编号：
  BSC100N06LS3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5298
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP04N50C3XKSA1, 4.5 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-220封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 50 W,
• 制造商零件编号：
  SPP04N50C3XKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8788
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPD04N50C3ATMA1, 4.5 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-252封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 50 W,
• 制造商零件编号：
  SPD04N50C3ATMA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3178
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 双 Si N沟道 MOSFET IPG20N06S4-15, 20 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 50 W,
• 制造商零件编号：
  IPG20N06S4-15
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9241
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP04N50C3, 4.5 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-220封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 50 W,
• 制造商零件编号：
  SPP04N50C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8784
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 双 N沟道 Si MOSFET IPG20N06S4L-14, 20 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 50 W,
• 制造商零件编号：
  IPG20N06S4L-14
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9253
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3707ZTRPBF, 56 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 50 W,
• 制造商零件编号：
  IRFR3707ZTRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4057
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC059N04LSG, 73 A, Vds=40 V, 8引脚 TDSON封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 50 W,
• 制造商零件编号：
  BSC059N04LSG
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5316
  
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