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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN7R0-30YL, 76 A, Vds=30 V, 4引脚 SOT-669封装
  
  规格：最大功率耗散 51 W,
• 制造商零件编号：
  PSMN7R0-30YL
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-3025
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQPF6N80T, 3.3 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：最大功率耗散 51 W,
• 制造商零件编号：
  FQPF6N80T
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-5917
  
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• Infineon Si N沟道 MOSFET IPG20N06S2L-50, 20 A, Vds=55 V, 8引脚 TDSON封装
  
  规格：最大功率耗散 51 W,
• 制造商零件编号：
  IPG20N06S2L-50
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5283
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQPF5N90, 3 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：最大功率耗散 51 W,
• 制造商零件编号：
  FQPF5N90
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5281
  
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