规格:最大功率耗散 500 W,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
MagnaChip MPMB75B120RH N通道 IGBT 模块, 串行, 75 A, Vce=1200 V, 7引脚 7DM-1封装
规格:最大功率耗散 500 W,
制造商零件编号:
MPMB75B120RH
品牌:
MagnaChip
库存编号:
784-6291
查看其他仓库
IXYS IXYN80N90C3H1 N沟道 IGBT, 340 A, Vce=900 V, 50kHz, 4引脚 SOT-227B封装
规格:最大功率耗散 500 W,
制造商零件编号:
IXYN80N90C3H1
品牌:
IXYS
库存编号:
791-7422
搜索
Infineon F4-75R12KS4_B11 N通道 IGBT 模块, 双半桥, 100 A, Vce=1200 V, 24引脚 ECONO2封装
规格:最大功率耗散 500 W,
制造商零件编号:
F4-75R12KS4_B11
品牌:
Infineon
库存编号:
838-6885
查看其他仓库
Fuji Electric FGW75N60HD N沟道 IGBT, 75 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大功率耗散 500 W,
制造商零件编号:
FGW75N60HD
品牌:
Fuji Electric
库存编号:
772-9026
查看其他仓库
IXYS IXYP30N120C3 N沟道 IGBT, 75 A, Vce=1200 V, 50kHz, 3引脚 TO-220封装
规格:最大功率耗散 500 W,
制造商零件编号:
IXYP30N120C3
品牌:
IXYS
库存编号:
808-0247
查看其他仓库
IXYS IXYH30N120C3 N沟道 IGBT, 75 A, Vce=1200 V, 50kHz, 3引脚 TO-247封装
规格:最大功率耗散 500 W,
制造商零件编号:
IXYH30N120C3
品牌:
IXYS
库存编号:
808-0278
查看其他仓库
IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFR64N50Q3, 45 A, Vds=500 V, 3引脚 ISOPLUS247封装
规格:最大功率耗散 500 W,
制造商零件编号:
IXFR64N50Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
801-1452
查看其他仓库
IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFQ22N60P3, 22 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3P封装
规格:最大功率耗散 500 W,
制造商零件编号:
IXFQ22N60P3
品牌:
IXYS
库存编号:
802-4449
查看其他仓库
IXYS HiperFET, Q-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFK27N80Q, 27 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-264AA封装
规格:最大功率耗散 500 W,
制造商零件编号:
IXFK27N80Q
品牌:
IXYS
库存编号:
920-0874
搜索
IXYS HiperFET 系列 Si N沟道 MOSFET IXFK48N50, 48 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-264AA封装
规格:最大功率耗散 500 W,
制造商零件编号:
IXFK48N50
品牌:
IXYS
库存编号:
711-5367
搜索
IXYS HiperFET, Polar3 系列 N沟道 Si MOSFET IXFP26N50P3, 26 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大功率耗散 500 W,
制造商零件编号:
IXFP26N50P3
品牌:
IXYS
库存编号:
802-4436
查看其他仓库
IXYS HiperFET, Polar3 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH26N50P3, 26 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大功率耗散 500 W,
制造商零件编号:
IXFH26N50P3
品牌:
IXYS
库存编号:
920-0981
搜索
IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFR48N60Q3, 32 A, Vds=600 V, 3引脚 ISOPLUS247封装
规格:最大功率耗散 500 W,
制造商零件编号:
IXFR48N60Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
801-1443
查看其他仓库
IXYS HiperFET, Polar3 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH26N50P3, 26 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大功率耗散 500 W,
制造商零件编号:
IXFH26N50P3
品牌:
IXYS
库存编号:
802-4360
搜索
IXYS HiperFET, Polar3 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH22N60P3, 22 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大功率耗散 500 W,
制造商零件编号:
IXFH22N60P3
品牌:
IXYS
库存编号:
802-4366
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDBL86210_F085, 169 A, Vds=150 V, 8引脚 PSOF封装
规格:最大功率耗散 500 W,
制造商零件编号:
FDBL86210_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8007
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IXYS HiperFET 系列 Si N沟道 MOSFET IXFK48N50, 48 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-264AA封装
规格:最大功率耗散 500 W,
制造商零件编号:
IXFK48N50
品牌:
IXYS
库存编号:
920-0870
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Fuji Electric 7MBP75RA-120-55 N通道 IGBT 模块, 3 相, 75 A, Vce=1200 V, 22引脚 P 610封装
规格:最大功率耗散 500 W,
制造商零件编号:
7MBP75RA-120-55
品牌:
Fuji Electric
库存编号:
716-5612
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Infineon BSM50GB170DN2 N通道 IGBT 模块, 串行, 72 A, Vce=1700 V, 7引脚 34MM 模块封装
规格:最大功率耗散 500 W,
制造商零件编号:
BSM50GB170DN2
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8198
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IXYS IXYN82N120C3H1 N沟道 IGBT, 105 A, Vce=1200 V, 20 → 50kHz, 4引脚 SOT-227B封装
规格:最大功率耗散 500 W,
制造商零件编号:
IXYN82N120C3H1
品牌:
IXYS
库存编号:
804-7622
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Fairchild Semiconductor FGH30S130P N沟道 IGBT, 60 A, Vce=1300 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大功率耗散 500 W,
制造商零件编号:
FGH30S130P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8849
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IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH69N30P, 69 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大功率耗散 500 W,
制造商零件编号:
IXFH69N30P
品牌:
IXYS
库存编号:
193-543
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Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPW65R037C6, 83 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大功率耗散 500 W,
制造商零件编号:
IPW65R037C6
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7474
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IXYS HiperFET, Q-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFK27N80Q, 27 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-264AA封装
规格:最大功率耗散 500 W,
制造商零件编号:
IXFK27N80Q
品牌:
IXYS
库存编号:
711-5382
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IXYS HiperFET, Q-Class 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IXFK48N50Q, 48 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-264AA封装
规格:最大功率耗散 500 W,
制造商零件编号:
IXFK48N50Q
品牌:
IXYS
库存编号:
711-5398
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