品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 500 mW,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Infineon BC 817K-40 E6433 , NPN 晶体管, 500 mA, Vce=45 V, HFE:40, 3引脚 SOT-23封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 500 mW,
制造商零件编号:
BC 817K-40 E6433
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7466
搜索
Infineon BCW 66KF , NPN 晶体管, 800mA, Vce=45 V, HFE:40, 170 MHz, 3引脚 SOT-23封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 500 mW,
制造商零件编号:
BCW 66KF
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8081
搜索
Infineon BFP650 , NPN 射频双极晶体管, 150 mA, Vce=4 V, HFE:100, 37000 MHz, 4引脚 SOT-343封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 500 mW,
制造商零件编号:
BFP650
品牌:
Infineon
库存编号:
167-992
搜索
Infineon BCW 66KG , NPN 晶体管, 800mA, Vce=45 V, HFE:40, 170 MHz, 3引脚 SOT-23封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 500 mW,
制造商零件编号:
BCW 66KG
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8085
搜索
Infineon BCW 66KH , NPN 晶体管, 800mA, Vce=45 V, HFE:40, 170 MHz, 3引脚 SOT-23封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 500 mW,
制造商零件编号:
BCW 66KH
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8094
搜索
Infineon BC817K-16WH6327 , NPN 晶体管, 500 mA, Vce=45 V, HFE:40, 170 MHz, 3引脚 SOT-323封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 500 mW,
制造商零件编号:
BC817K-16WH6327
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8122
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Infineon BFP 650F H6327 , NPN 晶体管, 150 mA, Vce=13 V, HFE:110, 4引脚 TSFP封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 500 mW,
制造商零件编号:
BFP 650F H6327
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7286
查看其他仓库
Infineon BFP 650 H6327 , NPN 晶体管, 150 mA, Vce=13 V, HFE:100, 4引脚 SOT-343封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 500 mW,
制造商零件编号:
BFP 650 H6327
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7374
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Infineon BC 817K-40 , NPN 晶体管, 500 mA, Vce=45 V, HFE:630, 170 MHz, 3引脚 SOT-23封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 500 mW,
制造商零件编号:
BC 817K-40
品牌:
Infineon
库存编号:
753-2721
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Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSS816NW H6327, 1.4 A, Vds=20 V, 3引脚 PG-SOT-323封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 500 mW,
制造商零件编号:
BSS816NW H6327
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7113
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Infineon OptiMOS 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET BSL316C H6327, 1.4 A,1.5 A, Vds=30 V, 6引脚 PG-TDSOP封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 500 mW,
制造商零件编号:
BSL316C H6327
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7129
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 BSS316N, 1.4 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 500 mW,
制造商零件编号:
BSS316N
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8257
查看其他仓库
Infineon P沟道 MOSFET 晶体管 BSR315PL6327, 620 mA, Vds=60 V, 3引脚 SC-59封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 500 mW,
制造商零件编号:
BSR315PL6327
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9395
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS123NH6327XTSA1, 190 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 500 mW,
制造商零件编号:
BSS123NH6327XTSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
827-0011
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Infineon OptiMOS 系列 N沟道 Si MOSFET BSS214NWH6327XTSA1, 1.5 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-323封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 500 mW,
制造商零件编号:
BSS214NWH6327XTSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
827-0030
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Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSS806NEH6327XTSA1, 2.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 500 mW,
制造商零件编号:
BSS806NEH6327XTSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
827-0109
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Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS127H6327, 21 mA, Vds=600 V, 3引脚 SOT-23封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 500 mW,
制造商零件编号:
BSS127H6327
品牌:
Infineon
库存编号:
827-0112
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS119NH6327XTSA1, 190 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 500 mW,
制造商零件编号:
BSS119NH6327XTSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
827-0119
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Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSD314SPEH6327XTSA1, 1.5 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-363封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 500 mW,
制造商零件编号:
BSD314SPEH6327XTSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8481
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Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSD816SNH6327XTSA1, 1.4 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 500 mW,
制造商零件编号:
BSD816SNH6327XTSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8485
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Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSR802N L6327, 3.7 A, Vds=20 V, 3引脚 SC-59封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 500 mW,
制造商零件编号:
BSR802N L6327
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2251
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Infineon OptiMOS 2 系列 N沟道 Si MOSFET BSS205N H6327, 2.5 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 500 mW,
制造商零件编号:
BSS205N H6327
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2374
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Infineon OptiMOS 2 系列 双 Si N沟道 MOSFET BSL306N, 2.3 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 500 mW,
制造商零件编号:
BSL306N
品牌:
Infineon
库存编号:
753-2790
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Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS127, 21 mA, Vds=600 V, 3引脚 SOT-23封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 500 mW,
制造商零件编号:
BSS127
品牌:
Infineon
库存编号:
753-2832
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Infineon OptiMOS 2 系列 双 N沟道 Si MOSFET BSD840N, 880 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 500 mW,
制造商零件编号:
BSD840N
品牌:
Infineon
库存编号:
823-5493
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