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• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFR64N60Q3, 42 A, Vds=600 V, 3引脚 ISOPLUS247封装
  
  规格：最大功率耗散 568 W,
• 制造商零件编号：
  IXFR64N60Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  801-1455
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET VS-FB190SA10, 190 A, Vds=100 V, 4引脚 SOT-227封装
  
  规格：最大功率耗散 568 W,
• 制造商零件编号：
  VS-FB190SA10
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-0953
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET VS-FB190SA10, 190 A, Vds=100 V, 4引脚 SOT-227封装
  
  规格：最大功率耗散 568 W,
• 制造商零件编号：
  VS-FB190SA10
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  762-0153
  
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• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 VS-FB190SA10, 190 A, Vds=100 V, 4引脚 SOT-227封装
  
  规格：最大功率耗散 568 W,
• 制造商零件编号：
  VS-FB190SA10
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-5788
  
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• DAWIN Electronics DM2G150SH6NE N通道 IGBT 模块, 串行, 175 A, Vce=600 V, 7引脚 7DM-2封装
  
  规格：最大功率耗散 568 W,
• 制造商零件编号：
  DM2G150SH6NE
  品牌：
  DAWIN Electronics
  库存编号：
  742-3286
  
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