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• Infineon IRGP4266PBF N沟道 IGBT, 90 A, Vce=650 V, 1MHz, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：最大功率耗散 450 W,
• 制造商零件编号：
  IRGP4266PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  787-1111
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET STW78N65M5, 69 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 450 W,
• 制造商零件编号：
  STW78N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  791-7970
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET STW78N65M5, 69 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 450 W,
• 制造商零件编号：
  STW78N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-8938
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STY60NK30Z, 60 A, Vds=300 V, 3引脚 Max247封装
  
  规格：最大功率耗散 450 W,
• 制造商零件编号：
  STY60NK30Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  103-1572
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STW62NM60N, 65 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 450 W,
• 制造商零件编号：
  STW62NM60N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-2918
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STW88N65M5, 84 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 450 W,
• 制造商零件编号：
  STW88N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-3024
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDH038AN08A1, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 450 W,
• 制造商零件编号：
  FDH038AN08A1
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3428
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STW70N60M2, 68 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 450 W,
• 制造商零件编号：
  STW70N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  917-3362
  
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• IXYS IXDN55N120D1 N沟道 IGBT, 100 A, Vce=1200 V, 1MHz, 4引脚 SOT-227B封装
  
  规格：最大功率耗散 450 W,
• 制造商零件编号：
  IXDN55N120D1
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  804-7616
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STW88N65M5, 84 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 450 W,
• 制造商零件编号：
  STW88N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  103-2004
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STY60NK30Z, 60 A, Vds=300 V, 3引脚 Max247封装
  
  规格：最大功率耗散 450 W,
• 制造商零件编号：
  STY60NK30Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5232
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STE48NM50, 48 A, Vds=500 V, 4引脚 ISOTOP封装
  
  规格：最大功率耗散 450 W,
• 制造商零件编号：
  STE48NM50
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-2710
  
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• DAWIN Electronics DM2G100SH6N N通道 IGBT 模块, 串行, 125 A, Vce=600 V, 7引脚 7DM-1封装
  
  规格：最大功率耗散 450 W,
• 制造商零件编号：
  DM2G100SH6N
  品牌：
  DAWIN Electronics
  库存编号：
  742-3277
  
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