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• Infineon F4-150R12KS4 N通道 IGBT 模块, 桥接, 180 A, Vce=1200 V AG-ECONO3-4封装
  
  规格：最大功率耗散 960 W,
• 制造商零件编号：
  F4-150R12KS4
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  111-6102
  
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  搜索

• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXFN100N50Q3, 82 A, Vds=500 V, 4引脚 SOT-227B封装
  
  规格：最大功率耗散 960 W,
• 制造商零件编号：
  IXFN100N50Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  804-7565
  
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• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFN44N100Q3, 38 A, Vds=1000 V, 4引脚 SOT-227B封装
  
  规格：最大功率耗散 960 W,
• 制造商零件编号：
  IXFN44N100Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  804-7577
  
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• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IXFN82N60Q3, 66 A, Vds=600 V, 4引脚 SOT-227B封装
  
  规格：最大功率耗散 960 W,
• 制造商零件编号：
  IXFN82N60Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  804-7587
  
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• IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFK26N120P, 26 A, Vds=1200 V, 3引脚 TO-264封装
  
  规格：最大功率耗散 960 W,
• 制造商零件编号：
  IXFK26N120P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  920-0877
  
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• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH50N50P3, 50 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 960 W,
• 制造商零件编号：
  IXFH50N50P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  802-4385
  
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• MagnaChip MPMC200B120RH N通道 IGBT 模块, 串行, 200 A, Vce=1200 V, 7引脚 7DM-2封装
  
  规格：最大功率耗散 960 W,
• 制造商零件编号：
  MPMC200B120RH
  品牌：
  MagnaChip
  库存编号：
  784-6308
  
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• IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFK26N120P, 26 A, Vds=1200 V, 3引脚 TO-264封装
  
  规格：最大功率耗散 960 W,
• 制造商零件编号：
  IXFK26N120P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  711-5360
  
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• IXYS HiperFET, Polar3 系列 N沟道 Si MOSFET IXFT50N50P3, 50 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-268封装
  
  规格：最大功率耗散 960 W,
• 制造商零件编号：
  IXFT50N50P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  802-4477
  
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• IXYS HiperFET, Polar3 系列 N沟道 Si MOSFET IXFN80N60P3, 66 A, Vds=600 V, 4引脚 SOT-227B封装
  
  规格：最大功率耗散 960 W,
• 制造商零件编号：
  IXFN80N60P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  804-7603
  
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