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• Infineon IRG7S313UPBF N沟道 IGBT, 40 A, Vce=330 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 78 W,
• 制造商零件编号：
  IRG7S313UPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7584
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB812PBF, 3.6 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 78 W,
• 制造商零件编号：
  IRFB812PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1939
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSB028N06NN3 G, 90 A, Vds=60 V, 7引脚 WDSON封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 78 W,
• 制造商零件编号：
  BSB028N06NN3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-4306
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSB165N15NZ3 G, 45 A, Vds=150 V, 7引脚 WDSON封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 78 W,
• 制造商零件编号：
  BSB165N15NZ3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-4315
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSC196N10NS G, 45 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 78 W,
• 制造商零件编号：
  BSC196N10NSG
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-4371
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC109N10NS3 G, 63 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 78 W,
• 制造商零件编号：
  BSC109N10NS3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-4416
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR812PBF, 3.6 A, Vds=500 V, 3引脚 DPAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 78 W,
• 制造商零件编号：
  IRFR812PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-8957
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSC252N10NSFG, 40 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 78 W,
• 制造商零件编号：
  BSC252N10NSFG
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9269
  
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• Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFH7446TRPBF, 85 A, Vds=40 V, 8引脚 PQFN封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 78 W,
• 制造商零件编号：
  IRFH7446TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  776-9169
  
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