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• STMicroelectronics BUL128D-B , NPN 晶体管, 4 A, Vce=400 V, HFE:10, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 70 W,
• 制造商零件编号：
  BUL128D-B
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  686-8048
  
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• STMicroelectronics BUL381D , NPN 晶体管, 5 A, Vce=800 V, HFE:8, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 70 W,
• 制造商零件编号：
  BUL381D
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  829-2705
  
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• Taiwan Semiconductor TSC742CZ COG , NPN 晶体管, 5 A, Vce=420 V, HFE:23, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 70 W,
• 制造商零件编号：
  TSC742CZ COG
  品牌：
  Taiwan Semiconductor
  库存编号：
  900-9031
  
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• Infineon IKP08N65H5XKSA1 N沟道 IGBT, 18 A, Vce=650 V, 1MHz, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大功率耗散 70 W,
• 制造商零件编号：
  IKP08N65H5XKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8582
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STD2NK90ZT4, 2.1 A, Vds=900 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大功率耗散 70 W,
• 制造商零件编号：
  STD2NK90ZT4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5100
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP3NK80Z, 2.5 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 70 W,
• 制造商零件编号：
  STP3NK80Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5370
  
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• STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STD10NM60ND, 8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大功率耗散 70 W,
• 制造商零件编号：
  STD10NM60ND
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9534
  
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• STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD4N62K3, 3.8 A, Vds=620 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大功率耗散 70 W,
• 制造商零件编号：
  STD4N62K3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9575
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD11NM50N, 8.5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大功率耗散 70 W,
• 制造商零件编号：
  STD11NM50N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9875
  
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• STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD5N62K3, 4.2 A, Vds=620 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大功率耗散 70 W,
• 制造商零件编号：
  STD5N62K3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9916
  
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• STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STP6N52K3, 5 A, Vds=525 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 70 W,
• 制造商零件编号：
  STP6N52K3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0165
  
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• STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP95N3LLH6, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 70 W,
• 制造商零件编号：
  STP95N3LLH6
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0203
  
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• STMicroelectronics STripFET V 系列 Si N沟道 MOSFET STU85N3LH5, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-251封装
  
  规格：最大功率耗散 70 W,
• 制造商零件编号：
  STU85N3LH5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0241
  
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• ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET ATP301-TL-H, 28 A, Vds=100 V, 3引脚 ATPAK封装
  
  规格：最大功率耗散 70 W,
• 制造商零件编号：
  ATP301-TL-H
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  800-9516
  
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• STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STD5N95K5, 3.5 A, Vds=950 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大功率耗散 70 W,
• 制造商零件编号：
  STD5N95K5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  829-7088
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 N沟道 Si MOSFET STP36NF06L, 30 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 70 W,
• 制造商零件编号：
  STP36NF06L
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-8773
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STD3NK80ZT4, 2.5 A, Vds=800 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大功率耗散 70 W,
• 制造商零件编号：
  STD3NK80ZT4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5122
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STD3NK80Z-1, 2.5 A, Vds=800 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：最大功率耗散 70 W,
• 制造商零件编号：
  STD3NK80Z-1
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5352
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD15NF10T4, 23 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大功率耗散 70 W,
• 制造商零件编号：
  STD15NF10T4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  714-1060
  
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• STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD5N52K3, 4.4 A, Vds=525 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大功率耗散 70 W,
• 制造商零件编号：
  STD5N52K3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9578
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STU10NM60N, 10 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-251封装
  
  规格：最大功率耗散 70 W,
• 制造商零件编号：
  STU10NM60N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9724
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STP8N65M5, 7 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 70 W,
• 制造商零件编号：
  STP8N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9727
  
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• STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STU4N62K3, 3.8 A, Vds=620 V, 4引脚 TO-251封装
  
  规格：最大功率耗散 70 W,
• 制造商零件编号：
  STU4N62K3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9746
  
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• STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STU5N62K3, 4.2 A, Vds=620 V, 3引脚 TO-251封装
  
  规格：最大功率耗散 70 W,
• 制造商零件编号：
  STU5N62K3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9758
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET 晶体管 STP10NM50N, 7 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 70 W,
• 制造商零件编号：
  STP10NM50N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9979
  
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