规格:最大功率耗散 80 W,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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ON Semiconductor MJE13007G , NPN 晶体管, 8 A, Vce=400 V, HFE:5, 1 MHz, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大功率耗散 80 W,
制造商零件编号:
MJE13007G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
103-5142
搜索
NXP PHE13009 , NPN 晶体管, 12 A, Vce=700 V, HFE:6, 60 Hz, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大功率耗散 80 W,
制造商零件编号:
PHE13009
品牌:
WeEn Semiconductors Co., Ltd
库存编号:
801-5662
搜索
STMicroelectronics BUL38D , NPN 晶体管, 5 A, Vce=800 V, HFE:22, 3引脚 TO-220封装
规格:最大功率耗散 80 W,
制造商零件编号:
BUL38D
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
810-7376
搜索
STMicroelectronics BUL138 , NPN 晶体管, 5 A, Vce=400 V, HFE:8, 3引脚 TO-220封装
规格:最大功率耗散 80 W,
制造商零件编号:
BUL138
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
485-6914
搜索
ON Semiconductor MJE13007G , NPN 晶体管, 8 A, Vce=400 V, HFE:5, 1 MHz, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大功率耗散 80 W,
制造商零件编号:
MJE13007G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
774-3568
搜索
Fairchild Semiconductor FJB3307DTM , NPN 晶体管, 8 A, Vce=400 V, HFE:8, 1 MHz, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大功率耗散 80 W,
制造商零件编号:
FJB3307DTM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
772-9244
搜索
NXP BUJ302AD , NPN 晶体管, 4 A, Vce=400 V, HFE:25, 3引脚 SOT-428封装
规格:最大功率耗散 80 W,
制造商零件编号:
BUJ302AD
品牌:
WeEn Semiconductors Co., Ltd
库存编号:
813-6719
搜索
Fairchild Semiconductor BDW94CFTU PNP 达林顿晶体管对, -12 A, Vce=-100 V, HFE=100, 3引脚 TO-220F封装
规格:最大功率耗散 80 W,
制造商零件编号:
BDW94CFTU
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-5178
搜索
Fairchild Semiconductor BDW93CTU NPN 达林顿晶体管对, 12 A, Vce=100 V, HFE=100, 3引脚 TO-220封装
规格:最大功率耗散 80 W,
制造商零件编号:
BDW93CTU
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-5175
搜索
Fairchild Semiconductor TIP105TU PNP 达林顿晶体管对, -8 A, Vce=-60 V, HFE=200, 3引脚 TO-220封装
规格:最大功率耗散 80 W,
制造商零件编号:
TIP105TU
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
808-0483
搜索
Fairchild Semiconductor TIP102TU NPN 达林顿晶体管对, 15 A, Vce=100 V, HFE=200, 3引脚 TO-220封装
规格:最大功率耗散 80 W,
制造商零件编号:
TIP102TU
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
808-0489
搜索
Fairchild Semiconductor TIP107TU PNP 达林顿晶体管对, -8 A, Vce=-100 V, HFE=200, 3引脚 TO-220封装
规格:最大功率耗散 80 W,
制造商零件编号:
TIP107TU
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
808-0492
搜索
STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STP45NF06, 38 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大功率耗散 80 W,
制造商零件编号:
STP45NF06
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
485-7658
搜索
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRFZ44ZS, 51 A, Vds=55 V, 4引脚 D2PAK封装
规格:最大功率耗散 80 W,
制造商零件编号:
AUIRFZ44ZS
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7495
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRLZ44Z, 51 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大功率耗散 80 W,
制造商零件编号:
AUIRLZ44Z
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1910
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRLZ44ZL, 51 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
规格:最大功率耗散 80 W,
制造商零件编号:
AUIRLZ44ZL
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1914
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STMicroelectronics STripFET V 系列 N沟道 Si MOSFET STL140N4LLF5, 140 A, Vds=40 V, 8引脚 PowerFLAT封装
规格:最大功率耗散 80 W,
制造商零件编号:
STL140N4LLF5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0540
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD8896_F085, 94 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大功率耗散 80 W,
制造商零件编号:
FDD8896_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8136
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ44ZLPBF, 51 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
规格:最大功率耗散 80 W,
制造商零件编号:
IRFZ44ZLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
865-5857
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ44ZSTRRPBF, 51 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大功率耗散 80 W,
制造商零件编号:
IRFZ44ZSTRRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
915-5064
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IXYS X2-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXTA4N65X2, 4 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
规格:最大功率耗散 80 W,
制造商零件编号:
IXTA4N65X2
品牌:
IXYS
库存编号:
917-1489
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Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPD18P06P G, 18.6 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
规格:最大功率耗散 80 W,
制造商零件编号:
SPD18P06P G
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8491
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STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD35NF06T4, 35 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大功率耗散 80 W,
制造商零件编号:
STD35NF06T4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9893
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Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDB8896, 93 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-263AB封装
规格:最大功率耗散 80 W,
制造商零件编号:
FDB8896
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
809-0824
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STMicroelectronics STripFET II 系列 N沟道 Si MOSFET STD35NF06LT4, 35 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
规格:最大功率耗散 80 W,
制造商零件编号:
STD35NF06LT4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-6604
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