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• Infineon IRGIB7B60KDPBF N沟道 IGBT, 12 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大功率耗散 39 W,
• 制造商零件编号：
  IRGIB7B60KDPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  864-0980
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCPF20N60, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：最大功率耗散 39 W,
• 制造商零件编号：
  FCPF20N60
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4764
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD8778, 35 A, Vds=25 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大功率耗散 39 W,
• 制造商零件编号：
  FDD8778
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9112
  
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• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FCPF190N60E, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：最大功率耗散 39 W,
• 制造商零件编号：
  FCPF190N60E
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-4936
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 Si N沟道 MOSFET FCPF190N60, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：最大功率耗散 39 W,
• 制造商零件编号：
  FCPF190N60
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-7913
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA06N80C3, 6 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 39 W,
• 制造商零件编号：
  SPA06N80C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8451
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SIR401DP-T1-GE3, 50 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  规格：最大功率耗散 39 W,
• 制造商零件编号：
  SIR401DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9342
  
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• Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SISA10DN-T1-GE3, 30 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  规格：最大功率耗散 39 W,
• 制造商零件编号：
  SISA10DN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9409
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDF10N60ZH, 10 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大功率耗散 39 W,
• 制造商零件编号：
  NDF10N60ZH
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  806-5052
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDMS4435BZ, 35 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
  
  规格：最大功率耗散 39 W,
• 制造商零件编号：
  FDMS4435BZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9620
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FCPF190N60E, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：最大功率耗散 39 W,
• 制造商零件编号：
  FCPF190N60E
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  772-9118
  
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• Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SiHF18N50D-E3, 18 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大功率耗散 39 W,
• 制造商零件编号：
  SiHF18N50D-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9204
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQS460EN-T1_GE3, 8 A, Vds=60 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  规格：最大功率耗散 39 W,
• 制造商零件编号：
  SQS460EN-T1_GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9522
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIR418DP-T1-GE3, 23 A, Vds=40 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  规格：最大功率耗散 39 W,
• 制造商零件编号：
  SIR418DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1275
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI7114ADN-T1-GE3, 18 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  规格：最大功率耗散 39 W,
• 制造商零件编号：
  SI7114ADN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1378
  
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• Vishay EF Series 系列 N沟道 Si MOSFET SiHF28N60EF-GE3, 28 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大功率耗散 39 W,
• 制造商零件编号：
  SiHF28N60EF-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  903-4500
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDF10N60ZG, 10 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大功率耗散 39 W,
• 制造商零件编号：
  NDF10N60ZG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-0490
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SIS435DNT-T1-GE3, 22 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  规格：最大功率耗散 39 W,
• 制造商零件编号：
  SIS435DNT-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1317
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPA057N08N3 G, 60 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大功率耗散 39 W,
• 制造商零件编号：
  IPA057N08N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2107
  
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