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• Fuji Electric 7MBP100VDA-120-50 N通道 智能功率模块, 3 相, 100 A, Vce=1200 V, 25引脚 P 630封装
  
  规格：最大功率耗散 417 W,
• 制造商零件编号：
  7MBP100VDA-120-50
  品牌：
  Fuji Electric
  库存编号：
  877-7284
  
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• Fuji Electric 6MBP100VDA-120-50 N通道 智能功率模块, 3 相, 100 A, Vce=1200 V, 25引脚 P 630封装
  
  规格：最大功率耗散 417 W,
• 制造商零件编号：
  6MBP100VDA-120-50
  品牌：
  Fuji Electric
  库存编号：
  877-7326
  
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• Fairchild Semiconductor FGH40N120ANTU N沟道 IGBT, 64 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247AB封装
  
  规格：最大功率耗散 417 W,
• 制造商零件编号：
  FGH40N120ANTU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-4933
  
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• ON Semiconductor NGTB40N60L2WG N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 417 W,
• 制造商零件编号：
  NGTB40N60L2WG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  842-7901
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPW90R120C3, 36 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 417 W,
• 制造商零件编号：
  IPW90R120C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3077
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCA47N60F, 47 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  规格：最大功率耗散 417 W,
• 制造商零件编号：
  FCA47N60F
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  865-1246
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCH47N60_F085, 47 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 417 W,
• 制造商零件编号：
  FCH47N60_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  865-1303
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STW45NM50, 45 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 417 W,
• 制造商零件编号：
  STW45NM50
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  419-2440
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDP61N20, 61 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大功率耗散 417 W,
• 制造商零件编号：
  FDP61N20
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4859
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDA70N20, 70 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  规格：最大功率耗散 417 W,
• 制造商零件编号：
  FDA70N20
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-8920
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STW45NM50, 45 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 417 W,
• 制造商零件编号：
  STW45NM50
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-6692
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STW45NM60, 45 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 417 W,
• 制造商零件编号：
  STW45NM60
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-8742
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STW45NM60, 45 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 417 W,
• 制造商零件编号：
  STW45NM60
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  714-6800
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPW52N50C3, 52 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 417 W,
• 制造商零件编号：
  SPW52N50C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8518
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCA47N60, 47 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  规格：最大功率耗散 417 W,
• 制造商零件编号：
  FCA47N60
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  865-1237
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCH47N60F_F085, 47 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 417 W,
• 制造商零件编号：
  FCH47N60F_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  865-1306
  
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