品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 41 W,
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Infineon OptiMOS T2 系列 双 Si N沟道 MOSFET IPG20N04S4-12, 20 A, Vds=40 V, 8引脚 TDSON封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 41 W,
制造商零件编号:
IPG20N04S4-12
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9115
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFI530NPBF, 12 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 41 W,
制造商零件编号:
IRFI530NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
542-9620
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPA030N10N3 G, 79 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220FP封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 41 W,
制造商零件编号:
IPA030N10N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7431
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA11N80C3, 11 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 41 W,
制造商零件编号:
SPA11N80C3
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8476
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPA032N06N3 G, 84 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220FP封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 41 W,
制造商零件编号:
IPA032N06N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7181
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPA037N08N3 G, 75 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220FP封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 41 W,
制造商零件编号:
IPA037N08N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7183
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Infineon DirectFET, HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF7647S2TR1, 24 A, Vds=100 V, 7引脚 DirectFET SB封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 41 W,
制造商零件编号:
AUIRF7647S2TR1
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7506
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRF7732S2TR1, 40 A, Vds=40 V, 7引脚 DirectFET SC封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 41 W,
制造商零件编号:
AUIRF7732S2TR1
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1670
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Infineon OptiMOS T2 系列 双 N沟道 Si MOSFET IPG20N04S4L-11, 20 A, Vds=40 V, 8引脚 TDSON封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 41 W,
制造商零件编号:
IPG20N04S4L-11
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9106
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Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD50N04S4-10, 50 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 41 W,
制造商零件编号:
IPD50N04S4-10
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4600
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