规格:最大功率耗散 400 W,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Semelab MG6333 , NPN 晶体管, 30 A, Vce=260 V, HFE:50, 3引脚 TO-264封装
规格:最大功率耗散 400 W,
制造商零件编号:
MG6333
品牌:
Semelab
库存编号:
737-8896
查看其他仓库
Fuji Electric 6MBP100RA-060-55 N通道 IGBT 模块, 3 相, 100 A, Vce=600 V, 22引脚 P 610封装
规格:最大功率耗散 400 W,
制造商零件编号:
6MBP100RA-060-55
品牌:
Fuji Electric
库存编号:
462-893
搜索
Fuji Electric 1MBi75U4F-120L-50 N通道 IGBT 模块, 75 A, Vce=1200 V, 7引脚 M262封装
规格:最大功率耗散 400 W,
制造商零件编号:
1MBi75U4F-120L-50
品牌:
Fuji Electric
库存编号:
747-1112
查看其他仓库
IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFR15N100Q3, 10 A, Vds=1000 V, 3引脚 ISOPLUS247封装
规格:最大功率耗散 400 W,
制造商零件编号:
IXFR15N100Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
801-1430
查看其他仓库
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK62N60W,S1VF(S, 62 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大功率耗散 400 W,
制造商零件编号:
TK62N60W,S1VF(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6255
搜索
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK62N60W,S1VF(S, 62 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大功率耗散 400 W,
制造商零件编号:
TK62N60W,S1VF(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2417
查看其他仓库
STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STW77N65M5, 69 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大功率耗散 400 W,
制造商零件编号:
STW77N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0635
搜索
Toshiba N沟道 Si MOSFET TK49N65W,S1F(S, 49 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大功率耗散 400 W,
制造商零件编号:
TK49N65W,S1F(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5154
搜索
Toshiba N沟道 Si MOSFET TK62N60W,S1VF(S, 62 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大功率耗散 400 W,
制造商零件编号:
TK62N60W,S1VF(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5172
搜索
Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK49N65W,S1F(S, 49 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大功率耗散 400 W,
制造商零件编号:
TK49N65W,S1F(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6236
查看其他仓库
IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH52N30P, 52 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大功率耗散 400 W,
制造商零件编号:
IXFH52N30P
品牌:
IXYS
库存编号:
920-0723
搜索
IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH26N50P, 26 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大功率耗散 400 W,
制造商零件编号:
IXFH26N50P
品牌:
IXYS
库存编号:
194-530
搜索
Toshiba N沟道 Si MOSFET TK62J60W,S1VQ(O, 62 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
规格:最大功率耗散 400 W,
制造商零件编号:
TK62J60W,S1VQ(O
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5179
搜索
Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK62J60W,S1VQ(O, 62 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
规格:最大功率耗散 400 W,
制造商零件编号:
TK62J60W,S1VQ(O
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6246
搜索
Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK62J60W,S1VQ(O, 62 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
规格:最大功率耗散 400 W,
制造商零件编号:
TK62J60W,S1VQ(O
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2408
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Infineon BSM50GB120DN2 N通道 IGBT 模块, 串行, 78 A, Vce=1200 V, 7引脚 34MM 模块封装
规格:最大功率耗散 400 W,
制造商零件编号:
BSM50GB120DN2
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8195
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IXYS MMIX1Y100N120C3H1 N沟道 IGBT, 92 A, Vce=1200 V, 20 → 50kHz, 24引脚 SMPD封装
规格:最大功率耗散 400 W,
制造商零件编号:
MMIX1Y100N120C3H1
品牌:
IXYS
库存编号:
875-2513
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Infineon IRG7PH50K10DPBF N沟道 IGBT, 90 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-247AC封装
规格:最大功率耗散 400 W,
制造商零件编号:
IRG7PH50K10DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-4940
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STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 Si MOSFET STW25N95K3, 22 A, Vds=950 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大功率耗散 400 W,
制造商零件编号:
STW25N95K3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9780
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK49N65W,S1F(S, 49 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大功率耗散 400 W,
制造商零件编号:
TK49N65W,S1F(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2397
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IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH26N50P, 26 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大功率耗散 400 W,
制造商零件编号:
IXFH26N50P
品牌:
IXYS
库存编号:
920-0773
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Semelab MAG9412 , PNP 晶体管, 30 A, Vce=230 V, HFE:35, 3引脚 TO-264封装
规格:最大功率耗散 400 W,
制造商零件编号:
MAG9412
品牌:
Semelab
库存编号:
737-8880
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Semelab MAG6332 , NPN 晶体管, 30 A, Vce=230 V, HFE:50, 60 MHz, 3引脚 TO-264封装
规格:最大功率耗散 400 W,
制造商零件编号:
MAG6332
品牌:
Semelab
库存编号:
737-8892
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Semelab MAG9413 , PNP 晶体管, 30 A, Vce=260 V, HFE:50, 3引脚 TO-264封装
规格:最大功率耗散 400 W,
制造商零件编号:
MAG9413
品牌:
Semelab
库存编号:
737-8899
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