规格:最大功率耗散 1.25 W,
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STMicroelectronics BD139-16 , NPN 晶体管, 3 A, Vce=80 V, HFE:100, 3引脚 SOT-32封装
规格:最大功率耗散 1.25 W,
制造商零件编号:
BD139-16
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
102-4110
搜索
STMicroelectronics BD140-16 , PNP 晶体管, 1.5 A, Vce=80 V, HFE:100, 3引脚 SOT-32封装
规格:最大功率耗散 1.25 W,
制造商零件编号:
BD140-16
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
102-4113
搜索
NXP BCX55-16 , NPN 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:100, 180 MHz, 4引脚 UPAK封装
规格:最大功率耗散 1.25 W,
制造商零件编号:
BCX55-16
品牌:
Nexperia
库存编号:
484-5188
搜索
STMicroelectronics BD138 , PNP 晶体管, 1.5 A, Vce=60 V, HFE:25, 3引脚 SOT-32封装
规格:最大功率耗散 1.25 W,
制造商零件编号:
BD138
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
485-8960
搜索
NXP PBSS5160T , PNP 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:100, 220 MHz, 3引脚 TO-236AB封装
规格:最大功率耗散 1.25 W,
制造商零件编号:
PBSS5160T
品牌:
Nexperia
库存编号:
518-1817
搜索
STMicroelectronics BD136-16 , PNP 晶体管, 1.5 A, Vce=45 V, HFE:100, 3引脚 SOT-32封装
规格:最大功率耗散 1.25 W,
制造商零件编号:
BD136-16
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
686-8067
搜索
STMicroelectronics BD140-16 , PNP 晶体管, 1.5 A, Vce=80 V, HFE:100, 3引脚 SOT-32封装
规格:最大功率耗散 1.25 W,
制造商零件编号:
BD140-16
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
686-8079
搜索
ROHM QSH29TR, 双 NPN 双极晶体管, Vce=60 V, HFE:500, 6引脚 SC-95封装
规格:最大功率耗散 1.25 W,
制造商零件编号:
QSH29TR
品牌:
ROHM
库存编号:
826-8566
搜索
STMicroelectronics BD138 , PNP 晶体管, 1.5 A, Vce=60 V, HFE:25, 3引脚 SOT-32封装
规格:最大功率耗散 1.25 W,
制造商零件编号:
BD138
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-8916
搜索
Magnatec BD136 , PNP 晶体管, 3 A, Vce=45 V, HFE:25, 3引脚 SOT-32封装
规格:最大功率耗散 1.25 W,
制造商零件编号:
BD136
品牌:
Magnatec
库存编号:
299-339
搜索
STMicroelectronics BD139-10 , NPN 晶体管, 3 A, Vce=80 V, HFE:63, 3引脚 SOT-32封装
规格:最大功率耗散 1.25 W,
制造商零件编号:
BD139-10
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
102-4111
搜索
NXP BCX54-16,115 , NPN 晶体管, 1 A, Vce=45 V, HFE:63, 180 MHz, 4引脚 UPAK封装
规格:最大功率耗散 1.25 W,
制造商零件编号:
BCX54-16,115
品牌:
Nexperia
库存编号:
436-8029
搜索
Nexperia PBSS4160T , NPN 晶体管, 900 mA, Vce=60 V, HFE:100, 220 MHz, 3引脚 TO-236AB封装
规格:最大功率耗散 1.25 W,
制造商零件编号:
PBSS4160T
品牌:
Nexperia
库存编号:
518-1536
搜索
ON Semiconductor BD135G , NPN 晶体管, 1.5 A, Vce=45 V, HFE:25, 3引脚 TO-225封装
规格:最大功率耗散 1.25 W,
制造商零件编号:
BD135G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
545-2282
搜索
Fairchild Semiconductor FJD5553TM , NPN 晶体管, 3 A, Vce=400 V, HFE:10, 3引脚 DPAK封装
规格:最大功率耗散 1.25 W,
制造商零件编号:
FJD5553TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-0858
搜索
STMicroelectronics BD135 , NPN 晶体管, 3 A, Vce=45 V, HFE:25, 3引脚 SOT-32封装
规格:最大功率耗散 1.25 W,
制造商零件编号:
BD135
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
714-0483
搜索
STMicroelectronics BD136 , PNP 晶体管, 3 A, Vce=45 V, HFE:25, 3引脚 SOT-32封装
规格:最大功率耗散 1.25 W,
制造商零件编号:
BD136
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
714-0495
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NXP BSP61,115 PNP 达林顿晶体管对, -1 A, Vce=-60 V, HFE=1000, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
规格:最大功率耗散 1.25 W,
制造商零件编号:
BSP61,115
品牌:
Nexperia
库存编号:
725-8461
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Nexperia PZTA14,115 NPN 达林顿晶体管对, 0.5 A, Vce=30 V, HFE=10000, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
规格:最大功率耗散 1.25 W,
制造商零件编号:
PZTA14,115
品牌:
Nexperia
库存编号:
725-8473
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Nexperia BSP62 PNP 达林顿晶体管对, -1 A, Vce=-80 V, HFE=1000, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
规格:最大功率耗散 1.25 W,
制造商零件编号:
BSP62
品牌:
Nexperia
库存编号:
792-0888
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Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF7503TRPBF, 2.4 A, Vds=30 V, 8引脚 MSOP封装
规格:最大功率耗散 1.25 W,
制造商零件编号:
IRF7503TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
300-290
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Infineon HEXFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET IRF7506TRPBF, 1.7 A, Vds=30 V, 8引脚 MSOP封装
规格:最大功率耗散 1.25 W,
制造商零件编号:
IRF7506TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
300-307
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Infineon HEXFET 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET IRF7509TRPBF, 2 A,2.7 A, Vds=30 V, 8引脚 MSOP封装
规格:最大功率耗散 1.25 W,
制造商零件编号:
IRF7509TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
301-192
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Taiwan Semiconductor Si N沟道 MOSFET TSM2310CX RFG, 4 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大功率耗散 1.25 W,
制造商零件编号:
TSM2310CX RFG
品牌:
Taiwan Semiconductor
库存编号:
743-6052
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ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 NTR4170NT1G, 3.9 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大功率耗散 1.25 W,
制造商零件编号:
NTR4170NT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-4745
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