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• Vishay SQ Rugged 系列 Si P沟道 MOSFET SQD19P06-60L_GE3, 11 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  规格：最大功率耗散 46 W,
• 制造商零件编号：
  SQD19P06-60L_GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  819-3936
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFI4227PBF, 26 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大功率耗散 46 W,
• 制造商零件编号：
  IRFI4227PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3966
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFI4229PBF, 19 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大功率耗散 46 W,
• 制造商零件编号：
  IRFI4229PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3975
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFI4228PBF, 34 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220ABFP封装
  
  规格：最大功率耗散 46 W,
• 制造商零件编号：
  IRFI4228PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  865-5813
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD16406Q3, 79 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
  
  规格：最大功率耗散 46 W,
• 制造商零件编号：
  CSD16406Q3
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  914-2939
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMFS5C673NLT1G, 50 A, Vds=60 V, 5引脚 DFN封装
  
  规格：最大功率耗散 46 W,
• 制造商零件编号：
  NTMFS5C673NLT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  922-9581
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS7572S, 105 A, Vds=25 V, 8引脚 Power 56封装
  
  规格：最大功率耗散 46 W,
• 制造商零件编号：
  FDMS7572S
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-6339
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRF7734M2TR1, 40 A, Vds=40 V, 7引脚 DirectFET M2封装
  
  规格：最大功率耗散 46 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRF7734M2TR1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1673
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFH5406TRPBF, 40 A, Vds=60 V, 8引脚 PQFN封装
  
  规格：最大功率耗散 46 W,
• 制造商零件编号：
  IRFH5406TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5189
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFI4321PBF, 34 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大功率耗散 46 W,
• 制造商零件编号：
  IRFI4321PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3978
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD50N04S4L-08, 50 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大功率耗散 46 W,
• 制造商零件编号：
  IPD50N04S4L-08
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4603
  
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